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公开(公告)号：CN109786286A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811344240.8
申请日：2018-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置，基片处理装置(1)包括：保持晶片(W)并使该晶片旋转的旋转保持部(30)，上述晶片在表面(Wa)具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部(40)；以使气流能够通过晶片与光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部(114)，其控制光照射部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流的状态下向晶片的表面照射上述光；和旋转控制部(115)，其控制旋转保持部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流、光照射部向晶片的表面照射上述光的状态下，使晶片旋转。
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公开(公告)号：CN110098121B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910085503.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本公开提供灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质，能够提高通过灰化得到的覆膜去除量的面内均匀性。灰化装置具备：光照射部，其构成为对表面形成有有机覆膜的基板照射用于使有机覆膜灰化的处理光；姿势变更部，其构成为驱动基板和光照射部中的至少一方来变更基板相对于光照射部的姿势；以及控制部。控制部执行第一处理以及在第一处理之后执行第二处理，在第一处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第一姿势变化为第二姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光，在第二处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第三姿势变化为第四姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光。
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公开(公告)号：CN108364885B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810071893.7
申请日：2018-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够进一步提高由能量线照射进行的处理的进展度的均匀性的基片处理装置。基片处理装置包括：收纳晶片(W)的处理室(PR)；加热处理室内的晶片的热板(41)；向处理室内的晶片照射处理用的能量线的光源(31)；绕与处理室内的晶片相交的轴线使该晶片或光源旋转的旋转驱动部(60)；开闭机构(70)，其切换使气流从处理室外流通到处理室内及从处理室内流通到处理室外的开状态和将该气流切断的闭状态；和控制部(100)，其执行：控制开闭机构以切换开状态和闭状态的处理；与开闭机构将开状态切换为闭状态的情形同步地使光源的射出光量增加的处理；和与开闭机构将闭状态切换为开状态的情形同步地使光源的射出光量减少的处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112147854A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010545970.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种光照射装置，其包括：收纳基片的处理室；收纳能量射线的射线源的线源室；将处理室与线源室分隔开的分隔壁；多个窗部，其设置在分隔壁，能够使从射线源向处理室内的基片出射的能量射线透射；和多个气体释放部，其分别设置在处理室内的多个窗部的周围，沿多个窗部的表面释放非活性气体。根据本发明，能够有效提高光照射处理的稳定性。
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公开(公告)号：CN108364885A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810071893.7
申请日：2018-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115 , B05C11/08 , B05C11/1002 , H01L21/0231 , H01L21/0271 , H01L21/31138 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/67739 , H01L21/68742 , H01L21/68757 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够进一步提高由能量线照射进行的处理的进展度的均匀性的基片处理装置。基片处理装置包括：收纳晶片(W)的处理室(PR)；加热处理室内的晶片的热板(41)；向处理室内的晶片照射处理用的能量线的光源(31)；绕与处理室内的晶片相交的轴线使该晶片或光源旋转的旋转驱动部(60)；开闭机构(70)，其切换使气流从处理室外流通到处理室内及从处理室内流通到处理室外的开状态和将该气流切断的闭状态；和控制部(100)，其执行：控制开闭机构以切换开状态和闭状态的处理；与开闭机构将开状态切换为闭状态的情形同步地使光源的射出光量增加的处理；和与开闭机构将闭状态切换为开状态的情形同步地使光源的射出光量减少的处理。
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公开(公告)号：CN112147854B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010545970.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种光照射装置，其包括：收纳基片的处理室；收纳能量射线的射线源的线源室；将处理室与线源室分隔开的分隔壁；多个窗部，其设置在分隔壁，能够使从射线源向处理室内的基片出射的能量射线透射；和多个气体释放部，其分别设置在处理室内的多个窗部的周围，沿多个窗部的表面释放非活性气体。根据本发明，能够有效提高光照射处理的稳定性。
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公开(公告)号：CN110098121A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910085503.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本公开提供灰化装置、灰化方法以及计算机可读记录介质，能够提高通过灰化得到的覆膜去除量的面内均匀性。灰化装置具备：光照射部，其构成为对表面形成有有机覆膜的基板照射用于使有机覆膜灰化的处理光；姿势变更部，其构成为驱动基板和光照射部中的至少一方来变更基板相对于光照射部的姿势；以及控制部。控制部执行第一处理以及在第一处理之后执行第二处理，在第一处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第一姿势变化为第二姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光，在第二处理中，控制部控制姿势变更部和光照射部，来使基板相对于光照射部的姿势从第三姿势变化为第四姿势，并且使光照射部向基板的表面照射光。
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公开(公告)号：CN209216930U
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201821861748.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本实用新型提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置，基片处理装置(1)包括：保持晶片(W)并使该晶片旋转的旋转保持部(30)，上述晶片在表面(Wa)具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部(40)；以使气流能够通过晶片与光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部(114)，其控制光照射部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流的状态下向晶片的表面照射上述光；和旋转控制部(115)，其控制旋转保持部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流、光照射部向晶片的表面照射上述光的状态下，使晶片旋转。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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