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公开(公告)号：CN108073050B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201711144518.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种在曝光基片的整个表面的曝光装置中，能够高精度地控制基片的面内的各部的曝光量的技术。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN111492314A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081427.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种光照射装置，其包括：多个氘灯，其向晶片W照射波长在200nm以下的、具有以光源为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光；和多边形筒，其以遮挡从多个氘灯照射的真空紫外光的照射范围的重叠部分的方式与各氘灯对应地设置，多边形筒从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形。
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公开(公告)号：CN119310802A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410867295.6
申请日：2024-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及周边曝光装置和周边曝光方法。降低升华物附着于后续的作为处理对象的基板的可能性。本公开的一个形态的周边曝光装置具备：基板保持部，其保持基板并使其旋转；曝光部，其对被所述基板保持部保持着的所述基板的表面的周缘区域照射曝光用的光；以及排气部，其从如下这样的排气范围进行排气，该排气范围设定为包括被所述基板保持部保持着的所述基板的周缘的外侧中的与所述曝光部的照射位置对应的部位且沿着所述周缘延伸。
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公开(公告)号：CN108073050A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711144518.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70725 , G03F7/2022 , G03F7/70558 , G03F7/70775 , H01L21/67178 , H01L21/67225 , H01L21/67718 , G03F7/2032
Abstract: 本发明提供了一种在曝光基片的整个表面的曝光装置中，能够高精度地控制基片的面内的各部的曝光量的技术。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN112147854B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010545970.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种光照射装置，其包括：收纳基片的处理室；收纳能量射线的射线源的线源室；将处理室与线源室分隔开的分隔壁；多个窗部，其设置在分隔壁，能够使从射线源向处理室内的基片出射的能量射线透射；和多个气体释放部，其分别设置在处理室内的多个窗部的周围，沿多个窗部的表面释放非活性气体。根据本发明，能够有效提高光照射处理的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113900359A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111186912.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置和曝光方法。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN108227398B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201711305669.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。
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公开(公告)号：CN113900359B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111186912.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光装置和曝光方法。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
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公开(公告)号：CN108227398A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711305669.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70533 , G03F7/201 , G03F7/7005 , G03F7/70133 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/70808 , H01L21/67115 , H01L21/6776 , G03F7/7015 , G03F7/70733
Abstract: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。
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公开(公告)号：CN108205242A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711381750.8
申请日：2017-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/16 , G03F7/201 , G03F7/2022 , G03F7/30 , G03F7/7005 , G03F7/70133 , G03F7/70558 , H01L21/027 , H01L21/67115 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种在利用多个发光区块形成带状的照射区域来对基片进行光处理时，能够将照射区域的长度方向的照度分布模式容易地高精度地调节到目标照度分布模式的技术。按每个发光区块(42)事先取得将照射区域的长度方向的位置与驱动电流的变化量引起的照度的变化量相对应的照度分布模式分布图的变化量即照度分布响应量，并将其存储到存储部中。而且，设置有运算处理部，其为了使照射区域的当前的长度方向的照度分布模式接近目标照度分布模式，基于发光区块(42)各自当前的电流指令值和存储于各发光区块的上述照度分布模式的变化量，求取(推算)各发光区块的电流指令值。
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