公开(公告)号：CN115298355B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202180021330.7

申请日：2021-03-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广瀬宽司 ,  神户将臣 ,  宫下晃一 ,  野上隆文 ,  小手健一 ,  饭干耕士

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种基板的处理方法，包括以下工序：在基板处理装置的腔室内准备基板；基于参照存储有用于计算针对所设定的电力值的校正值Y的式(1)的系数A、B、C、D的存储部、并根据所述式(1)、所述系数A、B、C、D以及表示连续成膜了的基板的处理量的变量X而得到的校正值Y，来校正所设定的所述电力值；以及向所述腔室内施加校正后的所述电力值，来对所准备的所述基板进行处理，其中，所述式(1)表示为Y＝Aexp(BX)+CX+D，所述系数A、C、D中的至少任一方不为0，并且在系数A不为0的情况下系数B也不为0。

公开(公告)号：CN115298355A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021330.7

申请日：2021-03-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广瀬宽司 ,  神户将臣 ,  宫下晃一 ,  野上隆文 ,  小手健一 ,  饭干耕士

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种基板的处理方法，包括以下工序：在基板处理装置的腔室内准备基板；基于参照存储有用于计算针对所设定的电力值的校正值Y的式(1)的系数A、B、C、D的存储部、并根据所述式(1)、所述系数A、B、C、D以及表示连续成膜了的基板的处理量的变量X而得到的校正值Y，来校正所设定的所述电力值；以及向所述腔室内施加校正后的所述电力值，来对所准备的所述基板进行处理，其中，所述式(1)表示为Y＝Aexp(BX)+CX+D，所述系数A、C、D中的至少任一方不为0，并且在系数A不为0的情况下系数B也不为0。