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公开(公告)号：CN101333666A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810094770.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NE3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下执行的。
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公开(公告)号：CN1826428B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200480002181.6
申请日：2004-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。
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公开(公告)号：CN1314834C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN03800169.1
申请日：2003-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 河南博
IPC: C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68757 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/67098 , H01L21/67103
Abstract: 在处理室(12)内的载置部件(21)上，载置被处理体(W)。载置部件(21)具备电阻层(25)。电源(28)通过在设置于处理室(12)外部的感应线圈(27)中流过电流，在感应线圈(27)的周围产生磁场。电阻层(25)通过形成的磁场所产生的感应热被加热，并加热载置于载置部件(21)上的被处理体(W)。
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公开(公告)号：CN1507503A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN03800169.1
申请日：2003-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 河南博
IPC: C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68757 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/67098 , H01L21/67103
Abstract: 在处理室(12)内的载置部件(21)上，载置被处理体(W)。载置部件(21)具备电阻层(25)。电源(28)通过在设置于处理室(12)外部的感应线圈(27)中流过电流，在感应线圈(27)的周围产生磁场。电阻层(25)通过形成的磁场所产生的感应热被加热，并加热载置于载置部件(21)上的被处理体(W)。
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公开(公告)号：CN100433273C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480018173.0
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5%的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下施行的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1269191C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03800408.9
申请日：2003-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4412 , C23C16/52 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 由TMP(22)、干式泵(23)构成连接到处理室(13)的排气线路(15)。处理室(13)和TMP(22)通过第一排气管(25)连接，而TMP(22)和干式泵(23)通过第二排气管(28)连接。测定部(24)监视流过第二排气管(28)的排气气体中的TiCl4或NH3的分压。在处理室(13)内，将两种处理气体交替供给规定时间，如果供给的一种处理气体的排气气体中的分压减少至规定值，则控制装置(12)开始另一种处理气体的供给。
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公开(公告)号：CN1531743A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN01816575.3
申请日：2001-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/466 , H01L21/28562 , H01L21/67109
Abstract: 将载置单晶片W并在内部具备加热器(22)的加热板(21)载置于在内部具备冷却介质室的冷却块(16)上。在冷却块(16)上设置贯穿其的气体导入管(33)。气体导入管(33)与加热板(21)和冷却块(16)的间隙(41)相连，可以将作为热传导气体的He气体供给至间隙(41)。另外，间隙(41)连接有气体吸引管(34)，可以吸引He气体。
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公开(公告)号：CN101333666B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810094770.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下执行的。
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公开(公告)号：CN1278386C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN01816575.3
申请日：2001-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/466 , H01L21/28562 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其包括：容器；设置在上述容器内、在载置被处理体的同时、可以加热上述被处理体的加热板；向上述加热板供给电力的供电器件；在隔着间隙载置上述加热板的同时、可以冷却上述加热板的冷却块；和用于向上述空隙导入热传导气体的气体导入路。
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公开(公告)号：CN1833209A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022484.4
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0652 , Y10T137/7761 , Y10T137/8741 , Y10T137/87507
Abstract: 本发明防止流量的控制精度在小流量域显著降低，在整个流量控制域进行高精度流量控制，同时通过高精度流量控制可以控制宽广的腔室压力范围。具体地说，由并联连接的多台压力式流量控制装置和控制上述多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，向由真空泵排气的腔室流量控制地供给期望的气体的腔室气体供给装置中，令上述一台压力式流量控制装置为控制向腔室供给的最大流量的至多10％的气体流量域的装置，令剩余的压力式流量控制装置为控制剩余的气体流量域的装置。
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