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    半导体制造系统
    3.
    发明公开
    半导体制造系统 有权

    公开(公告)号：CN102782805A

    公开(公告)日：2012-11-14

    申请号：CN201180012090.0

    申请日：2011-03-16

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 池田岳 ,  宫下晃一 ,  竹马孝真 ,  五味晓志 ,  李振梅 ,  鹰野国夫

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

    CPC classification number: G05B19/4065 ,  G05B2219/32226 ,  Y02P90/14

    Abstract: 一种具有用于检查半导体制造装置的程序的半导体制造系统，其进行以下步骤：显示用于指定检查项目的画面的步骤，该检查项目包括具备操作事项、确认事项的检查事项；从存储部读出与所指定的检查项目对应的检查事项，按工作顺序排列，并附加各检查事项是自动执行还是手动执行的执行属性，在画面中进行显示的步骤；和通过受理检查开始指令从存储部读出第一个检查事项的步骤，并且进行与a.检查事项是操作事项，执行属性为自动执行的情况；b.检查事项是操作事项，执行属性为手动执行的情况；c.检查事项是确认事项，执行属性为自动执行的情况；d.检查事项是确认事项，执行属性为手动执行的情况对应的步骤，直至不存在下一检查事项为止。

    处理系统
    4.
    发明公开
    处理系统 有权

    公开(公告)号：CN102714170A

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：CN201180006294.3

    申请日：2011-10-03

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 冈野真也 ,  池田岳

    IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/67265 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67778

    Abstract: 本发明的处理系统具备小空间（31）、小空间（31）所具备的、安装有用于收纳被处理体的盒（F）的装载部（32）、和配置在小空间（31）内的搬送装置（34）。上述搬送装置（34）还具备多关节臂（37）、安装在多关节臂（37）前端的拾取器（38）、和设置于该拾取器（38）的映射传感器（61）。所述小空间（31）还具备暂时退避部（62），在进行盒（F）内的映射时，在设置有映射传感器（61）的拾取器（38）上存在被处理体W的情况下，使该被处理体W暂时退避。

    成膜方法和成膜装置
    5.
    发明授权
    成膜方法和成膜装置 失效

    公开(公告)号：CN100541737C

    公开(公告)日：2009-09-16

    申请号：CN200680000505.1

    申请日：2006-01-11

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 松本贤治 ,  迫田智幸 ,  那须胜行 ,  池田岳

    IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

    CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691

    Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器(4)内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体(W)的表面形成多元系金属氧化物膜，其中，在开始对上述被处理体进行成膜处理之前，通过将模拟被处理体搬入上述处理容器(4)内，并流入上述有机金属原料气体，进行至少相当于3次的模拟成膜处理。因此，在形成多元系金属氧化膜时，就能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。

    基板处理装置的控制方法
    6.
    发明授权
    基板处理装置的控制方法 有权

    公开(公告)号：CN100511628C

    公开(公告)日：2009-07-08

    申请号：CN200680002224.X

    申请日：2006-11-28

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 池田岳 ,  长田圭司 ,  鹰野国夫

    IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67745

    Abstract: 当将从第二组件(12)返回至第一组件(10)的晶片(W101)交给通路部(PA)时，第一组件(10)的真空搬送机械手(RB1)，在使晶片(W101)在通路部(PA)中等待的状态下，优先进行第一组件(10)内的串行搬送。然后，真空搬送机械手(RB1)在利用一个臂保持从第一组件(10)送至第二组件(12)的晶片(W104)的状态下，利用拾取和放置动作，由另一个臂取回在通路部(PA)上的晶片(W101)，与它替换，利用所述一个臂，将晶片(W104)交给通路部(PA)。根据这个顺序，使用着两个组件(多腔室装置)(10、12)的多个处理模块的连续处理的生产率会尽可能地提高。

    基板定位装置、基板定位方法、程序
    7.
    发明公开
    基板定位装置、基板定位方法、程序 有权

    公开(公告)号：CN1855415A

    公开(公告)日：2006-11-01

    申请号：CN200610066911.X

    申请日：2006-03-30

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 长田圭司 ,  西中山康彦 ,  池田岳 ,  高桥裕之

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: G03F9/7011 ,  H01L21/681

    Abstract: 本发明的基板定位装置防止将起因于例如饱和数据等异常数据的干扰部分误判定为在基板周缘形成的切口标记并提高切口标记的判定精度。通过光透过型传感器(250)检测载置于旋转载置台(210)的晶片(W)的周缘，作为基板周缘形状数据取得该检测值，从该基板周缘形状数据检测突发性异常数据，删除检测到的突发性异常数据，根据该周边数据获得的预测数据补间该部分的干扰降低处理；从干扰降低处理后的基板周缘形状数据检测切口标记候补，判定使切口标记候补相当部分的数据群曲线近似，获得的近似曲线和切口标记候补相当部分的数据群之间的误差是否满足规定判定条件的切口标记判定处理；和根据满足规定判定条件的切口标记定位基板的基板定位处理。

    半导体制造系统
    8.
    发明授权
    半导体制造系统 有权

    公开(公告)号：CN102782805B

    公开(公告)日：2015-07-08

    申请号：CN201180012090.0

    申请日：2011-03-16

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 池田岳 ,  宫下晃一 ,  竹马孝真 ,  五味晓志 ,  李振梅 ,  鹰野国夫

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

    CPC classification number: G05B19/4065 ,  G05B2219/32226 ,  Y02P90/14

    Abstract: 一种具有用于检查半导体制造装置的程序的半导体制造系统，其进行以下步骤：显示用于指定检查项目的画面的步骤，该检查项目包括具备操作事项、确认事项的检查事项；从存储部读出与所指定的检查项目对应的检查事项，按工作顺序排列，并附加各检查事项是自动执行还是手动执行的执行属性，在画面中进行显示的步骤；和通过受理检查开始指令从存储部读出第一个检查事项的步骤，并且进行与a.检查事项是操作事项，执行属性为自动执行的情况；b.检查事项是操作事项，执行属性为手动执行的情况；c.检查事项是确认事项，执行属性为自动执行的情况；d.检查事项是确认事项，执行属性为手动执行的情况对应的步骤，直至不存在下一检查事项为止。

    处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质
    10.
    发明公开
    处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质 失效

    公开(公告)号：CN101675511A

    公开(公告)日：2010-03-17

    申请号：CN200880015014.3

    申请日：2008-05-01

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 山口博史 ,  广瀬胜人 ,  池田岳

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67748

    Abstract: 本发明提供处理装置、处理方法、被处理体的识别方法和存储介质。利用CCD检测器(30)，对在处理单元(1)的入口附近的待机位置(W1)待机的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状进行摄像。根据摄取的半导体晶片(W)的外周的圆弧形状，利用运算部(40)检测该圆弧形状的多个部位的位置数据，求得半导体晶片(W)的假想圆，计算其中心坐标，并计算待机位置(W1)的半导体晶片(W)的“位置偏移信息”。然后，基于该“位置偏移信息”通过控制器(50)控制搬送装置(12)，对处理单元(1)中的半导体晶片(W)的位置进行修正。

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