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公开(公告)号：CN100526501C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200680000634.0
申请日：2006-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4482 , C23C16/18
Abstract: 本发明提供一种气化装置(6)，将被压送来的液体原料在减压气氛中使之气化而产生原料气体，将该原料气体与载气一起送出，包括暂时储存压送来的液体原料的贮液室(70)、经由阀口(66)与贮液室连通的气化室(62)、从贮液室的侧就位在分隔阀口的阀座上的阀芯(72)、驱动阀芯的驱动器(81)、设置在朝向阀芯的阀口的位置上的载气喷射口(92)、以及将气化室内的原料气体排出的排出口(28)。根据载气喷射口的特定的配置，防止未经气化的液体原料残留在气化装置的阀口的下游侧。
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公开(公告)号：CN101256999A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810089719.1
申请日：2005-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/522 , H01L21/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种互连导电层及互连导电层的制造方法，在本发明的互连导电层的制造方法中，在基板(10)的背面(12)一侧的贯通孔(13)的开口部形成籽晶层(14)，并在该籽晶层(14)的基础上形成电镀用电极层(15)，然后在基板(10)的表面(11)一侧形成镀层(16)来填充贯通孔(13)。其结果是，能够提供制造工序简单，且不会在贯通孔的内部产生孔洞的互连导电层的制造方法。
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公开(公告)号：CN101006197A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200680000634.0
申请日：2006-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4482 , C23C16/18
Abstract: 本发明提供一种气化装置(6)，将被压送来的液体原料在减压气氛中使之气化而产生原料气体，将该原料气体与载气一起送出，包括暂时储存压送来的液体原料的贮液室(70)、经由阀口(66)与贮液室连通的气化室(62)、从贮液室的侧就位在分隔阀口的阀座上的阀芯(72)、驱动阀芯的驱动器(81)、设置在朝向阀芯的阀口的位置上的载气喷射口(92)、以及将气化室内的原料气体排出的排出口(28)。根据载气喷射口的特定的配置，防止未经气化的液体原料残留在气化装置的阀口的下游侧。
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公开(公告)号：CN110249079A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009730.4
申请日：2018-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 实施方式所涉及的电解处理装置(1、1A)是对被处理基板进行电解处理的电解处理装置，其具备基板保持部(10)和电解处理部(20)。基板保持部(10)具有间接阴极(12)和绝缘性的保持基体(11)，该保持基体(11)用于保持被处理基板，该间接阴极(12)设置在保持基体(11)的内部且被施加负电压。电解处理部(20)以面对基板保持部(10)的方式设置，向被处理基板以及与被处理基板相接的电解液施加电压。
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公开(公告)号：CN108368626A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680070449.2
申请日：2016-11-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C25D5/00 , C25D5/18 , C25D7/12 , C25D21/12 , H01L21/288
Abstract: 半导体装置的制造装置具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其用于对被该基板保持部保持的基板供给处理液；电解处理部，其与该基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及端子，其用于对基板施加电压，其中，电解处理部具有：直接电极，其与被供给到基板的处理液接触且用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及间接电极，其用于在被供给到基板的处理液中形成电场。
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公开(公告)号：CN100413058C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580000984.2
申请日：2005-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种互连导电层及互连导电层的制造方法，在本发明的互连导电层的制造方法中，在基板(10)的背面(12)一侧的贯通孔(13)的开口部形成籽晶层(14)，并在该籽晶层(14)的基础上形成电镀用电极层(15)，然后在基板(10)的表面(11)一侧形成镀层(16)来填充贯通孔(13)。其结果是，能够提供制造工序简单，且不会在贯通孔的内部产生孔洞的互连导电层的制造方法。
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公开(公告)号：CN103245802A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310043634.0
申请日：2013-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H05K1/056 , H05K3/445 , H05K3/4608 , H05K2203/061 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种半导体器件检查装置用布线基板及其制造方法。该半导体器件检查装置用布线基板具有较低的热膨胀率和较高的机械强度，并且能够易于制造且能够谋求降低制造成本。其特征在于，半导体器件检查装置用布线基板包括：金属基材，其是通过将利用蚀刻在规定部位形成有多个透孔的金属板材以使上述透孔的位置重叠的方式层叠并进行固定接合而形成的；树脂层，其配置于上述金属基材的表面和上述透孔的内壁部；导体图案，其以与上述金属基材之间被上述树脂层电绝缘的状态配置。
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公开(公告)号：CN100580457C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200580031215.9
申请日：2005-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R1/07342 , G01R3/00
Abstract: 探针(20)包括：悬臂(21)、柱状部(22)以及顶部(23)，以在悬臂(21)的一端悬臂支承的方式形成柱状部(22)，在柱状部(22)的顶端形成有顶部(23)。柱状部(22)的高度大于顶部(23)的高度，选择柱状部(22)与顶部(23)的高度使其为宽度的2倍以上。
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公开(公告)号：CN100505178C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200580022152.0
申请日：2005-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/32 , H05K1/11 , H05K3/42
Abstract: 本发明的贯通基板包括：具有贯通孔(19)的硅基板(10)，所述贯通孔(19)贯通基板的表面(11)和背面(12)；沿着贯通孔(19)的内壁面而设置的氧化硅膜(13)；形成在氧化硅膜(13)的内壁面上的Zn和Cu的层(14)、(15)；以及Cu的镀层(18)，该镀层(18)沿Zn和Cu的层(14)、(15)的内壁面，以间隔绝缘层(16)的方式从Cu的薄膜层(17)开始生长。其结果是，可提供能够排除由串音引起的噪声的贯通电极。
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公开(公告)号：CN100422707C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200580000620.4
申请日：2005-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 星野智久
IPC: G01L9/12
CPC classification number: G01L9/0073 , G01D5/24 , G01F1/28 , G01L9/0016 , G01L9/0019
Abstract: 由于在第一电极(1)和第二电极(2)之间配置屏蔽电极(4)，通过电容型传感器检测电路(64)使第一电极(1)和屏蔽电极(4)的交流电位差近乎为零从而使它们同电位，并检测第一电极(1)和第二电极(2)之间的阻抗变化，因而表观上减小了在第一电极(1)和屏蔽电极(4)之间产生的寄生电容两端的电位差或者使其大致为零，由此寄生电容不会起电容器的功能，从而能够表观上消除对检测电容的影响。由此，可通过电容型传感器检测电路(64)只检测电容型传感器(10)的电容变化量。
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