公开(公告)号：CN106067418B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610252496.0

申请日：2016-04-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 富永翔 ,  高山航 ,  五十岚義树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3105

Abstract: [课题]提供一种蚀刻处理方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]通过等离子体生成用的高频电力，由含氢气体和含氟气体生成等离子体；在‑30℃以下的极低温环境中，利用生成的等离子体对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜进行蚀刻；所述蚀刻中，按照对一个蚀刻对象膜进行蚀刻的第1蚀刻的蚀刻速率与对结构不同于所述一个蚀刻对象膜的其他蚀刻对象膜进行蚀刻的第2蚀刻的蚀刻速率之差为±20％以内的方式进行控制。

公开(公告)号：CN106992121B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201611078504.0

申请日：2016-11-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高山航 ,  富永翔 ,  五十岚義树

IPC: H01L21/311 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明的目的在于提供一种将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力而从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110246760A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910508471.6

申请日：2016-04-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 富永翔 ,  高山航 ,  五十岚義树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: [课题]提供一种蚀刻方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]一种蚀刻方法，其为在内部具有下部电极的处理容器内对基板进行蚀刻的方法，所述基板具有：由氧化硅膜形成的单层膜；和、将氧化硅膜与氮化硅膜层叠而得到的层叠膜，所述方法具备：将所述基板载置于所述下部电极的工序；将所述下部电极设定为-30℃以下的工序；以及在所述处理容器内，利用由含氢气体和含氟气体生成的等离子体对所述单层膜和所述层叠膜进行蚀刻的工序，所述单层膜的蚀刻速率相对于所述层叠膜的蚀刻速率为0.8～1.2倍。

公开(公告)号：CN110246760B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201910508471.6

申请日：2016-04-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 富永翔 ,  高山航 ,  五十岚義树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: [课题]提供一种蚀刻方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]一种蚀刻方法，其为在内部具有下部电极的处理容器内对基板进行蚀刻的方法，所述基板具有：由氧化硅膜形成的单层膜；和、将氧化硅膜与氮化硅膜层叠而得到的层叠膜，所述方法具备：将所述基板载置于所述下部电极的工序；将所述下部电极设定为‑30℃以下的工序；以及在所述处理容器内，利用由含氢气体和含氟气体生成的等离子体对所述单层膜和所述层叠膜进行蚀刻的工序，所述单层膜的蚀刻速率相对于所述层叠膜的蚀刻速率为0.8～1.2倍。

公开(公告)号：CN105097498B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201510239773.X

申请日：2015-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广津信 ,  五十岚義树 ,  三轮智典 ,  冈田宏志

IPC: H01L21/311

Abstract: 提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中，第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。

公开(公告)号：CN106992121A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611078504.0

申请日：2016-11-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高山航 ,  富永翔 ,  五十岚義树

IPC: H01L21/311 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明的目的在于提供一种将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力而从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN106067418A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610252496.0

申请日：2016-04-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 富永翔 ,  高山航 ,  五十岚義树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3105

Abstract: [课题]提供一种蚀刻处理方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]通过等离子体生成用的高频电力，由含氢气体和含氟气体生成等离子体；在‑30℃以下的极低温环境中，利用生成的等离子体对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜进行蚀刻；所述蚀刻中，按照对一个蚀刻对象膜进行蚀刻的第1蚀刻的蚀刻速率与对结构不同于所述一个蚀刻对象膜的其他蚀刻对象膜进行蚀刻的第2蚀刻的蚀刻速率之差为±20％以内的方式进行控制。

公开(公告)号：CN105097498A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239773.X

申请日：2015-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广津信 ,  五十岚義树 ,  三轮智典 ,  冈田宏志

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/31127

Abstract: 提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中，第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。