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公开(公告)号：CN103205734B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310015499.9
申请日：2013-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4551 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/52 , F16K37/00 , F16K37/0041 , G01M13/00 , H03K21/00 , H03K21/023
Abstract: 本发明涉及一种处理装置和阀门动作确认方法。本发明的目的在于，把握向处理容器内供给气体的气体供给系统中的阀门的动作状态，实时检测阀门的异常或提前避免。作为MC（401）的下位的控制单元的I/O端口（415）设置DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423），对腔室阀（37、47、57、67）的开闭次数进行计数。当DO开闭计数器（421）的计数值A、DI开闭计数器（423）的计数值B为A=B时，基于DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423）的腔室阀（37）的动作状态判断为正常，当A≠B时，判断为异常。
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公开(公告)号：CN101688296A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023081.X
申请日：2008-09-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67184 , C23C14/566 , C23C16/4401 , C23C16/54 , H01L21/67196
Abstract: 本发明提供真空处理系统及基板搬送方法。真空处理系统(1)具备：第一处理部(2)，其在搬送晶片(W)的第一搬送室(11)上连接PVD处理室(12～15)而成；第二处理部(3)，其在搬送晶片的第二搬送室(21)上连接CVD处理室(22、23)而成；缓冲室(5a)，其隔着门阀(G)设于第一搬送室(11)及第二搬送室(12)之间，可以收容晶片(W)，并且可以进行压力调整；控制部(110)，其如下进行控制，即，将缓冲室(5a)与第一搬送室(11)及第二搬送室(12)的任意一方选择性地连通，按照使其内部的压力适合于所连通的搬送室内的压力的方式，控制门阀(G)的开闭及缓冲室(5a)的压力。
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公开(公告)号：CN103205734A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310015499.9
申请日：2013-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4551 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/52 , F16K37/00 , F16K37/0041 , G01M13/00 , H03K21/00 , H03K21/023
Abstract: 本发明涉及一种处理装置和阀门动作确认方法。本发明的目的在于，把握向处理容器内供给气体的气体供给系统中的阀门的动作状态状态，实时检测阀门的异常或提前避免。作为MC（401）的下位的控制单元的I/O端口（415）设置DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423），对腔室阀（37、47、57、67）的开闭次数进行计数。当DO开闭计数器（421）的计数值A、DI开闭计数器（423）的计数值B为A=B时，基于DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423）的腔室阀（37）的动作状态判断为正常，当A≠B时，判断为异常。
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公开(公告)号：CN1993496A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026687.5
申请日：2005-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 平田俊治
IPC: C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45527 , C23C16/4412 , C23C16/45542 , C23C16/45557 , H01L21/28562 , H01L21/3141
Abstract: 本发明是一种在连接能够减压的处理容器和真空泵的排气通路上设置传导阀，将被处理基板配置在上述处理容器内，在成膜处理时间内，使包括供给第一反应气体的第一步骤与供给第二反应气体的第二步骤的循环进行一次或反复多次，利用上述第一反应气体与上述第二反应气体之间的化学反应在上述基板上形成膜的薄膜形成方法，采用了如下薄膜形成方法，其包括：第一工序，在先于上述成膜处理时间的开始的准备时间内，为上述处理容器内进行排气，同时将所期望的气体以设定流量供给至上述处理容器内，对在上述处理容器内的压力基本与设定值一致时的上述传导阀的阀门开度进行鉴定并作为标准值；和第二工序，在上述成膜处理时间中的各个上述循环中，至少在上述第一及第二步骤中将上述传导阀的阀门开度保持在上述标准值。
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公开(公告)号：CN110690139B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910598586.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、基板搬送方法以及存储介质，在向多个处理模块依次搬送基板并对基板进行一系列的处理时，能够抑制生产率的下降并且抑制因基板引起的处理结果的不均匀。基板处理系统具备：具有分别进行规定的处理的多个处理模块的处理部；保持多个基板并针对处理部搬出搬入基板的搬出搬入部；搬送基板的搬送部；对处理部、搬出搬入部及搬送部进行控制的控制部，其中，控制部进行控制，使得多个基板依次从搬出搬入部搬送到处理部，并且所搬送的基板依次顺序地搬送到多个处理模块，且进行控制，使得设定从自搬出搬入部的规定的模块搬出基板之后起直至搬出下一个基板为止的间隔，并按该间隔的设定值将多个基板依次从规定的模块搬出。
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公开(公告)号：CN114256099A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111085963.2
申请日：2021-09-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供在对多个基片进行串行输送从而进行规定处理时，能够抑制对多个基片的处理结果的偏差的半导体制造装置、基片输送方法和程序。本发明的半导体制造装置具有：用于对多个基片进行所希望的处理的多个处理模块；和用于对多个处理模块串行输送多个基片的多个输送模块，该半导体制造装置的特征在于，包括：调度功能部，其能够以各个所希望的处理的工序所需要的时间之差在容许的时间范围内的方式计算循环时间，并基于循环时间生成多个基片的输送计划；和输送控制功能部，其能够按照生成的输送计划来控制多个输送模块，使得在处理模块中串行输送多个基片。
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公开(公告)号：CN100523291C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580026687.5
申请日：2005-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 平田俊治
IPC: C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45527 , C23C16/4412 , C23C16/45542 , C23C16/45557 , H01L21/28562 , H01L21/3141
Abstract: 本发明是一种在连接能够减压的处理容器和真空泵的排气通路上设置传导阀，将被处理基板配置在上述处理容器内，在成膜处理时间内，使包括供给第一反应气体的第一步骤与供给第二反应气体的第二步骤的循环进行一次或反复多次，利用上述第一反应气体与上述第二反应气体之间的化学反应在上述基板上形成膜的薄膜形成方法，采用了如下薄膜形成方法，其包括：第一工序，在先于上述成膜处理时间的开始的准备时间内，为上述处理容器内进行排气，同时将所期望的气体以设定流量供给至上述处理容器内，对在上述处理容器内的压力基本与设定值一致时的上述传导阀的阀门开度进行鉴定并作为标准值；和第二工序，在上述成膜处理时间中的各个上述循环中，至少在上述第一及第二步骤中将上述传导阀的阀门开度保持在上述标准值。
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公开(公告)号：CN114657519A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111533236.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、其温度控制方法、程序以及存储介质，能够在恢复常温时的升温序列中优化温度控制。本公开提供的基板处理装置具有：载置台，其在真空处理容器内保持被处理基板；传热气体容器，其以与所述载置台隔着间隙的方式配置于所述载置台的背面侧，通过冷冻机使该传热气体容器冷却；以及控制装置，其在基于设置于所述冷冻机的附近的第一控制点的温度进行加热控制以使所述冷冻机达到第一温度附近之后，进行控制以使对所述冷冻机的加热控制在开启与关闭之间进行切换。
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公开(公告)号：CN114231920A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111029054.7
申请日：2021-09-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 平田俊治
Abstract: 本发明提供一种在具有能够配备多个靶材的阴极单元的成膜装置中执行的成膜方法，其为提高能够配备多个靶材的成膜装置的工作效率的技术，该成膜方法包括：在安装在阴极单元的同一材料的第一靶材和第二靶材之中，按照第一靶材的方案，使用第一靶材进行成膜处理的步骤；在管理第一靶材的寿命的值达到了预先设定的阈值后，从用户接收成膜处理中使用的第二靶材的选择的步骤；和按照将第一靶材的方案的靶材关联控制项目的设定转换为选择的第二靶材的方案，使用选择的第二靶材进行成膜处理的步骤，由此来解决课题。
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公开(公告)号：CN110690139A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910598586.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、基板搬送方法以及存储介质，在向多个处理模块依次搬送基板并对基板进行一系列的处理时，能够抑制生产率的下降并且抑制因基板引起的处理结果的不均匀。基板处理系统具备：具有分别进行规定的处理的多个处理模块的处理部；保持多个基板并针对处理部搬出搬入基板的搬出搬入部；搬送基板的搬送部；对处理部、搬出搬入部及搬送部进行控制的控制部，其中，控制部进行控制，使得多个基板依次从搬出搬入部搬送到处理部，并且所搬送的基板依次顺序地搬送到多个处理模块，且进行控制，使得设定从自搬出搬入部的规定的模块搬出基板之后起直至搬出下一个基板为止的间隔，并按该间隔的设定值将多个基板依次从规定的模块搬出。
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