公开(公告)号：CN111725062A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010176495.9

申请日：2020-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原幸辅 ,  岩崎峰久 ,  石井健太郎 ,  井手诚司 ,  谢其儒

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法在蚀刻基板的膜时能够抑制形成于膜的图案的宽度的缩小并且提供膜的侧壁面的垂直性。一个例示性的实施方式所涉及的方法用于蚀刻基板的膜。基板具有基底区域、膜以及掩模。膜设置于基底区域上。掩模设置于膜上。方法包括对膜执行主蚀刻的工序。主蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻，使基底区域的至少一部分露出。方法还包括在执行主蚀刻的工序之后至少在掩模的侧壁面上形成保护层的工序。保护层的材料与膜的材料不同。方法还包括在形成保护层的工序之后执行针对膜的过蚀刻的工序。过蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN111725062B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202010176495.9

申请日：2020-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原幸辅 ,  岩崎峰久 ,  石井健太郎 ,  井手诚司 ,  谢其儒

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法在蚀刻基板的膜时能够抑制形成于膜的图案的宽度的缩小并且提供膜的侧壁面的垂直性。一个例示性的实施方式所涉及的方法用于蚀刻基板的膜。基板具有基底区域、膜以及掩模。膜设置于基底区域上。掩模设置于膜上。方法包括对膜执行主蚀刻的工序。主蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻，使基底区域的至少一部分露出。方法还包括在执行主蚀刻的工序之后至少在掩模的侧壁面上形成保护层的工序。保护层的材料与膜的材料不同。方法还包括在形成保护层的工序之后执行针对膜的过蚀刻的工序。过蚀刻为针对膜的等离子体蚀刻。