-
公开(公告)号：CN1266741C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN02817255.8
申请日：2002-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67253 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
Abstract: 预先对与制品用基板相同的基板以喷嘴边进行扫描边供给涂布液以形成涂布液的线，对其例如以CCD摄像头进行摄像以求取涂布液的接触角，依据该接触角利用几何模型求取进行实际涂布时的扫描速度下的涂布液喷嘴的喷吐流量与间距容许范围二者的关系数据。并且，预先针对每种目标膜厚制作出涂布液喷嘴的喷吐流量与间距二者的关系数据，依据两者的关系数据确定间距。
-
公开(公告)号：CN118791152A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410400721.5
申请日：2024-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林真二
Abstract: 本发明提供能够顺利地实施有机氟化合物的无毒化处理的处理系统和处理方法。PFAS无毒化系统(1)包括浓缩器(11)，其用于对从半导体制造装置(100)的光刻装置(111)排出的含有PFAS的抗蚀剂废液进行浓缩。另外，PFAS无毒化系统(1)包括硫酸处理槽(12)，其用于使由浓缩器(11)浓缩后的浓缩液分解和挥发。
-
公开(公告)号：CN118791151A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410400573.7
申请日：2024-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林真二
Abstract: 本发明提供能够顺利地实施有机氟化合物的无毒化处理的处理系统和处理方法。PFAS无毒化系统(1)包括浓缩器(11)，其用于对从半导体制造装置(100)的光刻装置(111)排出的含有PFAS的抗蚀剂废液进行浓缩。另外，PFAS无毒化系统(1)包括硫酸处理槽(12)，其用于使由浓缩器(11)浓缩后的浓缩液分解和挥发。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1552091A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN02817255.8
申请日：2002-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/67253 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
Abstract: 预先对与制品用基板相同的基板以喷嘴边进行扫描边供给涂布液以形成涂布液的线，对其例如以CCD摄像头进行摄像以求取涂布液的接触角，依据该接触角利用几何模型求取进行实际涂布时的扫描速度下的涂布液喷嘴的喷吐流量与间距容许范围二者的关系数据。并且，预先针对每种目标膜厚制作出涂布液喷嘴的喷吐流量与间距二者的关系数据，依据两者的关系数据确定间距。
-
公开(公告)号：CN109390219A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810877240.8
申请日：2018-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林真二
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在该基片上层叠地形成多个图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理系统。对于层叠在基片上的两层以上的图案的相关性，基于上层图案的EPE、下层图案的EPE和两层图案的套刻精度，来计算作为该两层图案间的错位量的IPFE。在计算出的IPFE超过规定的阈值(IPFE预测值)的情况下，修正规定处理中的处理条件，使得该IPFE小于规定的阈值。由此，在基片上层叠地形成多个图案时，能够使该多个图案适当化。
-
公开(公告)号：CN117623518A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311031779.9
申请日：2023-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林真二
IPC: C02F9/00 , C02F101/36 , C02F1/04 , C02F1/44 , C02F1/66 , C02F1/72 , C02F103/34
Abstract: 本发明提供能够顺畅地实施有机氟化合物的无毒化处理的处理系统和处理方法。PFAS无毒化系统(1)包括：浓缩器(11)，对从半导体制造装置(100)排出的含有PFAS的废液进行浓缩；硫酸处理槽(12)，利用含有浓硫酸的液体使由浓缩器(11)浓缩后的浓缩液分解和蒸发；以及冷却装置(13)，将由硫酸处理槽(12)蒸发的气体液化来将其收集。
-
公开(公告)号：CN109390219B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810877240.8
申请日：2018-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林真二
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在该基片上层叠地形成多个图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理系统。对于层叠在基片上的两层以上的图案的相关性，基于上层图案的EPE、下层图案的EPE和两层图案的套刻精度，来计算作为该两层图案间的错位量的IPFE。在计算出的IPFE超过规定的阈值(IPFE预测值)的情况下，修正规定处理中的处理条件，使得该IPFE小于规定的阈值。由此，在基片上层叠地形成多个图案时，能够使该多个图案适当化。
-
公开(公告)号：CN113016052A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201980071985.8
申请日：2019-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小林真二
Abstract: 本发明涉及图像处理方法以及图像处理装置。是处理图像的图像处理方法，具有：(A)获取多个帧图像的步骤，该帧图像是通过对拍摄对象用一次荷电粒子线扫描而获得的；(B)根据多个上述帧图像按每个像素判定亮度的概率分布的步骤；以及(C)生成拍摄对象的图像的步骤，该拍摄对象的图像相当于对基于每个像素的上述亮度的概率分布所生成的多个另外帧图像进行平均化得到的图像。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.021 seconds)
