退火装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101925981B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN200980103125.4

    申请日:2009-01-19

    CPC classification number: H01L21/67109 H01L21/268 H01L21/324 H01L21/67115

    Abstract: 本发明的退火装置具备:面向晶片W的面设置、具有向晶片W照射光的多个LED(33)的加热源(17a,17b);透过来自发光元件(33)的光的光透射部件(18a,18b);和与加热源(17a,17b)直接接触设置的由Al构成的冷却部件(4a,4b)。加热源(17a,17b)具备多个发光元件阵列(34),该发光元件阵列包括利用银膏(56)安装了LED(33)的由AlN构成的支撑体(32)和利用焊料(57)粘合到支撑体(32)的背面侧的由Cu构成的热扩散部件(50),发光元件阵列(34)通过硅润滑油(58)旋紧在冷却部件(4a,4b)上。

    等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法

    公开(公告)号:CN111755311B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202010194926.4

    申请日:2020-03-19

    Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法。用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置包括设置于被供给处理气体的处理容器内的载置台,该载置台载置作为处理对象的基片。支轴部包括从背面侧支承载置台,贯通处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分,并且与使载置台绕轴旋转的旋转机构连接。高频电源部供给等离子体处理用的高频电功率,高频屏蔽件覆盖伸出部分的支轴部以抑制高频的泄漏。支轴部和高频屏蔽件包括将其在长度方向分割的、能够一体拆卸的组件部。本发明的维护作业简单。

    等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法

    公开(公告)号:CN111755311A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010194926.4

    申请日:2020-03-19

    Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法。用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置包括设置于被供给处理气体的处理容器内的载置台,该载置台载置作为处理对象的基片。支轴部包括从背面侧支承载置台,贯通处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分,并且与使载置台绕轴旋转的旋转机构连接。高频电源部供给等离子体处理用的高频电功率,高频屏蔽件覆盖伸出部分的支轴部以抑制高频的泄漏。支轴部和高频屏蔽件包括将其在长度方向分割的、能够一体拆卸的组件部。本发明的维护作业简单。

    退火装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101999160A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200980112321.8

    申请日:2009-06-24

    CPC classification number: H01L21/67115

    Abstract: 本发明提供一种退火装置,其对被处理体实施退火处理,其特征在于,具备:收容所述被处理体的处理容器、在所述处理容器内支承所述被处理体的支承机构、向所述处理容器内供给处理气体的气体供给机构、将所述处理容器内的气氛气体排出的排气机构、具有向所述被处理体的整个背面照射加热光的多个激光器元件的背面侧加热机构。

    退火装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101925981A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200980103125.4

    申请日:2009-01-19

    CPC classification number: H01L21/67109 H01L21/268 H01L21/324 H01L21/67115

    Abstract: 本发明的退火装置具备:面向晶片W的面设置、具有向晶片W照射光的多个LED(33)的加热源(17a,17b);透过来自发光元件(33)的光的光透射部件(18a,18b);和与加热源(17a,17b)直接接触设置的由Al构成的冷却部件(4a,4b)。加热源(17a,17b)具备多个发光元件阵列(34),该发光元件阵列包括利用银膏(56)安装了LED(33)的由AlN构成的支撑体(32)和利用焊料(57)粘合到支撑体(32)的背面侧的由Cu构成的热扩散部件(50),发光元件阵列(34)通过硅润滑油(58)旋紧在冷却部件(4a,4b)上。

Patent Agency Ranking