公开(公告)号：CN118366889A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410034476.0

申请日：2024-01-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 梅崎翔太 ,  森山茂 ,  大曲智隆 ,  矢羽田庆一 ,  大家修司 ,  田中雄一 ,  大川胜宏 ,  山中学 ,  板桥拓也

IPC: H01L21/67 ,  F26B5/00

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的维护方法，能够顺利地进行干燥单元的维护。基板处理装置具备干燥单元和控制装置，该干燥单元将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体来对所述基板进行干燥。所述干燥单元具有壁板、电磁锁、压力传感器以及浓度传感器，所述壁板将内部空间与外部空间隔开，所述电磁锁在锁定状态与解锁状态之间切换，所述锁定状态是将所述壁板固定于限制从所述外部空间向所述内部空间的访问的位置的状态，所述解锁状态是允许所述壁板移动的状态。所述控制装置将所述电磁锁的状态从所述锁定状态切换为所述解锁状态的解锁条件包括：所述压力传感器的检测值为阈值以下；以及所述浓度传感器的检测值为阈值以下。

公开(公告)号：CN117174607A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310611311.0

申请日：2023-05-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 江村智文 ,  大曲智隆 ,  叶山智夫

IPC: H01L21/67 ,  F26B5/00

Abstract: 本发明提供能够高效率地实施处理容器内的温度调节的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器、加热机构、温度测量器和控制部。处理容器在内部空间收纳基片。加热机构从内部空间外侧对内部空间进行加热。温度测量器测量内部空间的温度。控制部控制各部。控制部具有测量部和推算部。测量部测量第一温度和第二温度，第一温度为在以第一设定温度对加热机构进行了加热时由温度测量器测量的内部空间温度，第二温度为在以第二设定温度对加热机构进行了加热时由温度测量器测量的内部空间温度。推算部基于第一设定温度、第二设定温度、第一温度和第二温度，推算用于使由温度测量器测量的内部空间的温度为所希望温度的加热机构的设定温度。