-
公开(公告)号：CN119301739A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380042119.2
申请日：2023-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基于本公开的一个方式的基板处理方法包括液处理工序、搬送工序以及超临界工序。在液处理工序中，在液处理部中对基板进行液处理，来将基板的上表面润湿。在搬送工序中，从液处理部向超临界处理部搬送上表面被润湿后的基板。在超临界工序中，在超临界处理部中利用超临界流体对上表面被润湿后的基板进行处理。另外，在液处理工序中，在判定为不能向超临界处理部搬送基板的情况下，继续向基板供给处理液。
-
公开(公告)号：CN117747487A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311179542.5
申请日：2023-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置的处理容器内的颗粒的滞留的基片处理装置和基片处理方法。一个实施方式的基片处理装置包括：处理容器；供给管线；排出管线；设置在排出管线中的调节阀；和控制部，其能够通过调节调节阀的开度来控制处理容器内的压力，在处理容器内的压力被维持在处理流体能够维持超临界状态的压力范围内、且从供给管线向处理容器供给处理流体并且从处理容器排出处理流体的流通步骤中，控制部通过调节调节阀的开度，使降压阶段和升压阶段各执行至少1次，其中，降压阶段是使处理容器内的压力在所述压力范围内下降的阶段，升压阶段是使处理容器内的压力在所述压力范围内上升的阶段。
-
公开(公告)号：CN117174607A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310611311.0
申请日：2023-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够高效率地实施处理容器内的温度调节的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器、加热机构、温度测量器和控制部。处理容器在内部空间收纳基片。加热机构从内部空间外侧对内部空间进行加热。温度测量器测量内部空间的温度。控制部控制各部。控制部具有测量部和推算部。测量部测量第一温度和第二温度，第一温度为在以第一设定温度对加热机构进行了加热时由温度测量器测量的内部空间温度，第二温度为在以第二设定温度对加热机构进行了加热时由温度测量器测量的内部空间温度。推算部基于第一设定温度、第二设定温度、第一温度和第二温度，推算用于使由温度测量器测量的内部空间的温度为所希望温度的加热机构的设定温度。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.021 seconds)
