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    涂布处理装置
    1.
    发明公开
    涂布处理装置 无效

    公开(公告)号：CN103056067A

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：CN201210393846.7

    申请日：2012-10-17

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 川口义广 ,  坂井光广

    IPC: B05C5/02 ,  B05C13/02 ,  B05B13/04 ,  H01L21/677

    Abstract: 本发明是一种涂布处理装置。该涂布处理装置可缩短处理动作的节拍时间，且防止因喷嘴的维护处理而导致的被处理基板的污染。本发明的涂布处理装置包括：喷嘴(31)，具有沿被处理基板(G)的宽度方向延伸的喷出口，在所述处理平台上的所述基板的上方沿基板搬送方向移动，并且从所述喷出口将处理液喷出至所述基板上；喷嘴移动机构(32)，可使所述喷嘴升降移动，且可使所述喷嘴向基板搬送方向上游侧或下游侧移动；喷嘴维护机构(35)，设置在基板搬送路径(4)的下方，且调整所述喷嘴的喷出口的状态；及空出区间形成机构(21)、(22)、(23A)、(23B)、(30)，可在所述基板搬送路径上的所述处理平台的上游侧或下游侧，自由出入地形成特定长度的空出区间(d)。

    膜形成装置及膜形成方法
    2.
    发明公开
    膜形成装置及膜形成方法 无效

    公开(公告)号：CN103043915A

    公开(公告)日：2013-04-17

    申请号：CN201210379859.9

    申请日：2012-10-09

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 坂井光广 ,  川口义广

    IPC: C03C17/00

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 本申请的发明涉及一种膜形成装置及膜形成方法。其目的在于缩小占地面积并且缩短处理线的长度、且实现装置成本的降低及生产率的提升。本发明的膜形成装置包括：涂布处理机构(6)，沿水平方向搬送被处理基板(G)，并且从具有在所述基板的宽度方向上较长的喷出口的喷嘴喷出所述涂布液，而在所述基板上形成涂布膜；第1加热处理机构(11)，在第1加热温度下加热形成着所述涂布膜的所述基板；及第2加热处理机构(12)，在高于所述第1加热温度的第2加热温度下加热由所述第1加热处理机构加热过的所述基板。

    基板处理系统
    3.
    发明公开
    基板处理系统 无效

    公开(公告)号：CN1755526A

    公开(公告)日：2006-04-05

    申请号：CN200510107965.1

    申请日：2005-09-30

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 归山武郎 ,  坂井光广 ,  梶原拓伸

    IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20

    Abstract: 本发明提供了一种在被处理基板的表面上涂布形成处理液的膜，与曝光装置连动，在基板上形成规定图案的基板处理系统，能够在各个基板上均匀地涂布处理液，还能够提高与曝光装置连动时的基板处理生产率。在被处理基板的表面上涂布形成处理液的膜，与曝光装置连动，在基板上形成规定图案的基板处理系统(100)中，具有：涂布膜形成装置，该装置具有分别载置被处理基板的第一台面(50)和第二台面(59)，以及在分别载置在上述第一台面(50)和第二台面(59)上的被处理基板表面上涂布处理液，形成膜的处理液涂布装置；基板输送装置(42a)，(42b)，相对于多个曝光装置(4a)，(4b)，而对通过上述涂布膜形成装置形成有膜的被处理基板进行输送。

    基板缓冲装置及方法和处理装置
    4.
    发明授权
    基板缓冲装置及方法和处理装置 失效

    公开(公告)号：CN100541711C

    公开(公告)日：2009-09-16

    申请号：CN200710087680.5

    申请日：2007-03-14

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 梶原拓伸 ,  坂井光广 ,  柿野彰

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  B65G49/06 ,  B65G49/05 ,  B65G49/07 ,  G05B19/04 ,  G02F1/1333

    Abstract: 本发明提供一种即使基板大型其安全性也高并可避免颗粒物飞散而生产率高且能以想要顺序使退避的多个基板再进出搬送线的基板缓冲装置(36)，包括：具有多级能进出搬送线(A)且上下放置搬送线(A)上搬送的基板(G)的载置台(5a～5f)的搁板部(5)和使搁板部(5)升降以使任意载置台(5a～5f)进出搬送线(A)的升降机构(6)，各载置台(5a～5f)具有进出搬送线(A)时沿搬送方向搬送基板(G)的输送机构(50a～50f)并作为搬送线(A)的一部分工作，将搬送线(A)搬送的基板(G)放置在进出搬送线(A)的载置台(5a)，搁板部(5)由升降机构(6)升降使载置台(5a)与基板(G)从搬送线(A)退避。

    基板处理装置
    5.
    发明公开
    基板处理装置 无效

    公开(公告)号：CN101219427A

    公开(公告)日：2008-07-16

    申请号：CN200710159745.2

    申请日：2007-12-21

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 坂井光广 ,  八寻俊一 ,  川内拓男 ,  小宫洋司

    IPC: B08B3/00 ,  B08B11/04 ,  B65G49/00 ,  B65G49/06 ,  B65G13/00 ,  G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，在被处理基板的洗净处理中，防止异物向洗净处理后的基板再附着，有效地进行洗净处理，同时实现提高生产量和低成本化。在使用洗净液进行被处理基板的洗净处理的基板处理装置中，具有：形成有以仰面朝上的姿势搬送被处理基板的搬送路径，通过搬送路径搬送基板的搬送单元；和向搬送的基板的上面供给洗净液的洗净喷嘴，其中搬送路径具有以水平状态搬送基板的水平部、和从所述水平部形成规定角度的向上倾斜的倾斜部，洗净喷嘴配置在倾斜部的上方，洗净液的喷出方向为相对于水平方向向下方倾斜规定角度的方向、并且为搬送路径的上游方向，向在倾斜部上搬送的基板的倾斜面喷出洗净液。

    基板输送系统、基板输送装置及基板处理装置
    6.
    发明公开
    基板输送系统、基板输送装置及基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN1978356A

    公开(公告)日：2007-06-13

    申请号：CN200610164202.5

    申请日：2006-12-05

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 太田义治 ,  坂井光广

    IPC: C03C17/00 ,  C03B35/16

    CPC classification number: Y02P40/57

    Abstract: 本发明的目的是输送基板以使得在玻璃基板上的涂敷膜上不产生不均。在抗蚀剂涂敷处理组件的台的前后，设有第1输送体和第2输送体。第2输送体具有在Y方向上排列的多个辊、支承辊的保持器、和安装保持器的轨道板。在保持器上设有使辊旋转的旋转驱动部、和使保持器沿Y方向进退的水平驱动部。在台上设有相互独立而升降自如的升降销组。在通过升降销组使玻璃基板上升的状态下，使辊进入到玻璃基板的下方，将玻璃基板交接给该辊。辊一边旋转而以低速将玻璃基板向后方输送，一边后退。

    基片处理装置和基片处理方法
    7.
    发明公开
    基片处理装置和基片处理方法 无效

    公开(公告)号：CN110875217A

    公开(公告)日：2020-03-10

    申请号：CN201910789299.6

    申请日：2019-08-26

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 八寻俊一 ,  梶原拓伸 ,  坂井光广

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

    Abstract: 本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括涂敷线、第一输送部、热处理线和第二输送部。涂敷线在基片上涂敷处理液。第一输送部将基片输送到涂敷线。热处理线与涂敷线并排配置，对涂敷了处理液的基片进行热处理。第二输送部从涂敷线将涂敷了处理液的基片输送到热处理线。第一输送部将进行了热处理的基片从热处理线送出。

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