公开(公告)号：CN113675065A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110495002.2

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金俸奭 ,  井上雅博 ,  大秦充敬 ,  小林宪

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态。生成源接通状态具有至少两个生成源功率级。偏置RF产生部耦合于基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号。偏置RF信号包含分别与多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态。偏置接通状态具有至少两个偏置功率级。根据本发明，能够提高等离子体蚀刻的处理性能。

公开(公告)号：CN115863129A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211121933.7

申请日：2022-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  玉虫元 ,  井上雅博 ,  上坂友佑人 ,  松山昇一郎

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够在等离子体处理装置中从反映高频电源的负载的阻抗的匹配状态的信号中除去不需要的成分的等离子体处理装置和处理方法。在本发明的等离子体处理装置中，高频电源能够供给高频电功率以使得生成等离子体。偏置电源能够向基片支承部的电极供给具有偏置频率的电偏置能量，以使得将离子引向基片。高频电源能够对电偏置能量的周期内的多个相位期间各自中的高频电功率的频率进行调节。传感器能够检测反映高频电源的负载的阻抗相对于匹配状态的偏差的电信号。滤波器能够从在多个相位期间各自中由传感器检测出的电信号中除去高频电功率与电偏置能量的互调失真成分。

公开(公告)号：CN116724669A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202280010797.6

申请日：2022-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 玉虫元 ,  舆水地盐 ,  井上雅博 ,  松山昇一郎

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源控制部。高频电源产生生成源高频功率以在腔室内生成等离子体。偏置电源对基片支承部的偏置电极周期性地施加具有波形周期的偏置能量。高频电源根据生成源高频功率的反射的程度的变化，来调整多个波形周期中的第m个波形周期内的第n个相位期间中的生成源高频功率的生成源频率。反射的程度的变化通过在第m个波形周期之前的两个以上的周期各自的第n个相位期间中使用彼此不同的生成源频率来确定。

公开(公告)号：CN113078040A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202011450996.8

申请日：2020-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  玉虫元 ,  井上雅博

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在对基板支承器施加来自偏置电源的脉冲状的负极性的直流电压的周期内供给其频率变化的高频电力。