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公开(公告)号：CN117397014A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280039064.5
申请日：2022-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 第一RF脉冲信号包括多个主循环。各主循环包括第一期间和第二期间。第一期间包括多个第一子循环，第二期间包括多个第二子循环。第一RF脉冲信号在多个第一子循环和多个第二子循环的每一个具有3个以上不同的功率水平。第二RF脉冲信号包括多个主循环。第二RF脉冲信号在多个第一子循环的每一个具有2个以上不同的功率水平，在第二期间具有零功率水平。第三RF脉冲信号包括多个主循环。第三RF脉冲信号在多个第一子循环的每一个具有2个以上不同的功率水平，在第二期间具有零功率水平。
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公开(公告)号：CN117957642A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280060422.0
申请日：2022-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，其包括：第一电源，其构成为能够将第一电信号供给到天线，第一电信号包含具有第一RF频率的第一RF信号；第二电源，其构成为能够将第二电信号供给到至少一个电极，第二电信号包含具有第二RF频率的第二RF信号；第三电源，其构成为能够将第三电信号供给到至少一个电极，第三电信号包含具有比第一RF频率和第二RF频率低的第三RF频率的第三RF信号或DC信号；和控制部，其构成为能够控制第一电源、第二电源和第三电源，以选择性地执行第一等离子体处理模式、第二等离子体处理模式和第三等离子体处理模式。第一等离子体处理模式不将第三电信号供给到至少一个电极，而将第一电信号供给到天线并且将第二电信号供给到至少一个电极。第二等离子体处理模式不将第二电信号供给到至少一个电极，而将第一电信号供给到天线并且将第三电信号供给到至少一个电极。第三等离子体处理模式不将第一电信号供给到天线，而将第二电信号和第三电信号供给到至少一个电极。
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公开(公告)号：CN114188209A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111037157.8
申请日：2021-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使用多个高频电功率脉冲信号使工艺处理的性能提高的等离子体处理装置，其包括：第一、第二匹配电路；第一RF生成部，其与第一匹配电路耦合，生成包括多个第一脉冲周期的第一RF脉冲信号，其在第一脉冲周期的第一～第三期间分别具有第一～第三功率水平；第二RF生成部，其与第二匹配电路耦合，生成包含多个第二脉冲周期的第二RF脉冲信号，其在第二脉冲周期的第四～第五期间具有第四～第五功率水平且频率比第一RF脉冲信号低；第三RF生成部，其与第二匹配电路耦合，生成包含多个第三脉冲周期的第三RF脉冲信号，其在第三脉冲周期的第六～第七期间具有第六～第七功率水平且频率比第二RF脉冲信号低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114188208A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111030176.8
申请日：2021-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其使用多个高频电功率脉冲信号来提高处理的性能。等离子体处理装置具有：第一RF生成部，其生成第一RF脉冲信号，该信号在第一期间具有第一功率水平，在第二期间具有第二功率水平，在第三期间具有第三功率水平，第一期间为30μs以下；第二RF生成部，其生成第二RF脉冲信号，该信号的频率比第一RF脉冲信号的频率低，在第一期间具有第四功率水平，在第二期间和第三期间中的至少一者具有第五功率水平；第三RF生成部，其生成第三RF脉冲信号，该信号的频率比第二RF脉冲信号的频率低，在第二期间具有第六功率水平，并且在第一期间和第三期间中的至少一者具有第七功率水平。
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公开(公告)号：CN113675065A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110495002.2
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态。生成源接通状态具有至少两个生成源功率级。偏置RF产生部耦合于基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号。偏置RF信号包含分别与多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态。偏置接通状态具有至少两个偏置功率级。根据本发明，能够提高等离子体蚀刻的处理性能。
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公开(公告)号：CN113675064A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110489743.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，抑制因蚀刻产生的形状异常，提高等离子体蚀刻的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内，包括下部电极。源RF生成部生成用于在等离子体处理腔室内产生等离子体的、交替包含高状态和低状态的源RF信号。偏置DC生成部与下部电极连接，生成交替地包含接通状态和关断状态的偏置DC信号，接通状态的时段和关断状态的时段分别对应于源RF信号的高状态时段和低状态时段，各接通状态包含多个循环，各循环包含具有第一电压电平的第一脉冲的第一序列和具有与第一电压电平不同的第二电压电平的第二脉冲的第二序列。
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公开(公告)号：CN104471686B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380036784.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括利用由含氢气体形成的等离子体对形成为规定图案的光致抗蚀剂的表面进行等离子体处理的等离子体处理步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括以被等离子体处理后的光致抗蚀剂为掩模、利用CF类气体和含CHF类气体对含硅膜进行蚀刻的蚀刻步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，将等离子体处理步骤和蚀刻步骤至少反复2次以上。
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公开(公告)号：CN104471686A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036784.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括利用由含氢气体形成的等离子体对形成为规定图案的光致抗蚀剂的表面进行等离子体处理的等离子体处理步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括以被等离子体处理后的光致抗蚀剂为掩模、利用CF类气体和含CHF类气体对含硅膜进行蚀刻的蚀刻步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，将等离子体处理步骤和蚀刻步骤至少反复2次以上。
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