等离子体处理装置和等离子体处理方法

    公开(公告)号:CN119404600A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202380048628.6

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源、偏置电源和控制部。控制部能够控制高频电源和偏置电源。控制部能够进行控制以使得执行:工序(a),供给源高频电功率以在腔室内生成等离子体;和工序(b),向基片支承部供给电偏置。控制部能够将从在工序(a)中开始供给源高频电功率的时间点起到在工序(b)中开始供给电偏置的时间点为止的延迟时间长度,设定为电子从基片支承部的中心或基片支承部上的基片的中心到达基片支承部的端部或基片的端部的时间长度以上。

    等离子体处理装置和处理方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115863129A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211121933.7

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明提供能够在等离子体处理装置中从反映高频电源的负载的阻抗的匹配状态的信号中除去不需要的成分的等离子体处理装置和处理方法。在本发明的等离子体处理装置中,高频电源能够供给高频电功率以使得生成等离子体。偏置电源能够向基片支承部的电极供给具有偏置频率的电偏置能量,以使得将离子引向基片。高频电源能够对电偏置能量的周期内的多个相位期间各自中的高频电功率的频率进行调节。传感器能够检测反映高频电源的负载的阻抗相对于匹配状态的偏差的电信号。滤波器能够从在多个相位期间各自中由传感器检测出的电信号中除去高频电功率与电偏置能量的互调失真成分。

    等离子体处理装置、电源系统、控制方法、程序和存储介质

    公开(公告)号:CN118489294A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202280086479.8

    申请日:2022-12-26

    Inventor: 上坂友佑人

    Abstract: 在本发明的等离子体处理装置中,从偏置电源向基片支承部供给电偏置能量。从高频电源向高频电极供给生成源高频电功率。高频电源从多个频率集中选择根据所指定的处理得到的初始频率集。高频电源在第一期间使用初始频率集所包括的多个频率来作为电偏置能量的波形周期内的多个相位期间的每一个用的生成源高频电功率的多个生成源频率。高频电源在第二期间调节电偏置能量的波形周期内的多个相位期间的每一个用的生成源高频电功率的多个生成源频率。

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