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公开(公告)号：CN102859658B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180019567.8
申请日：2011-04-12
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/18 , H01L21/182 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 扩散剂组合物是在向半导体基板形成杂质扩散剂层时使用的扩散剂组合物，含有杂质扩散成分(A)、硅化合物(B)、以及包含沸点为100℃以下的溶剂(C1)、沸点为120～180℃的溶剂(C2)和沸点为240～300℃的溶剂(C3)的溶剂(C)。
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公开(公告)号：CN106827754A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611026954.5
申请日：2016-11-22
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: B32B27/34 , B32B7/12 , B32B27/06 , C08G73/10 , C09J179/08
CPC classification number: B32B27/34 , B32B7/12 , B32B27/06 , B32B2307/306 , B32B2457/20 , C08G73/1071 , C09J179/08
Abstract: 本发明涉及层叠体的制造方法及其用途。本发明提供具有高耐热性、且能够将由聚酰亚胺树脂形成的基板顺利地剥离的新型的层叠体的制造方法及其相关技术。层叠体的制造方法包括：将形成基板(1)的聚酰亚胺树脂的酰亚胺键的一部分水解的水解工序；在支撑板(2)上形成含有具有下述式(1)所示的结构单元的聚酰胺酸而成的粘接层(3)的粘接层形成工序；和介由粘接层(3)贴合基板(1)和支撑板(2)的贴合工序。其中，式(1)中，R1为4价的有机基团，是碳原子数为2以上且11以下的芳香族基团等；R2为2价的有机基团，是可含有氮原子等的、碳原子数为2以上且50以下的芳香族基团等；n为1以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110036104A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075186.9
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 粒子捕获设备，其具备第1基板、和以与第1基板的一侧平行地相对的方式配置的第2基板，第1基板具备多个在第1基板的另一侧开口、且具有可捕获1个粒子的大小的凹部，凹部具备将一侧与另一侧连通、且具有粒子的分散介质可移动的大小的连通孔，第1基板与第2基板之间形成有将第1基板的连通孔作为分散介质的流入口、且将第1基板的一侧的端部作为分散介质的流出口的流路，连通孔的总开口面积为1mm2以上且小于10mm2、且流出口处的流路的截面积为连通孔的总开口面积的0.8倍以上，或者，连通孔的总开口面积为10mm2以上且1000mm2以下、且流出口处的流路的截面积为连通孔的总开口面积的0.1倍以上。
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公开(公告)号：CN102473613B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201080036913.9
申请日：2010-08-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/228 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种扩散剂组合物，含有：杂质扩散成分(A)、在低于所述杂质扩散成分(A)开始热扩散的温度的温度下热分解而消失的粘合剂树脂(B)、SiO2微粒(C)、和包含沸点为100℃以上的有机溶剂(D1)的有机溶剂(D)。一种杂质扩散层的形成方法，包括：在半导体基板上印刷所述的扩散剂组合物而形成图案的图案形成工序，使所述扩散剂组合物的杂质扩散成分(A)向所述半导体基板扩散的扩散工序。以及一种太阳能电池，其具备利用所述的杂质扩散层的形成方法形成了杂质扩散层的半导体基板。
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公开(公告)号：CN110036104B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201780075186.9
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 粒子捕获设备，其具备第1基板、和以与第1基板的一侧平行地相对的方式配置的第2基板，第1基板具备多个在第1基板的另一侧开口、且具有可捕获1个粒子的大小的凹部，凹部具备将一侧与另一侧连通、且具有粒子的分散介质可移动的大小的连通孔，第1基板与第2基板之间形成有将第1基板的连通孔作为分散介质的流入口、且将第1基板的一侧的端部作为分散介质的流出口的流路，连通孔的总开口面积为1mm2以上且小于10mm2、且流出口处的流路的截面积为连通孔的总开口面积的0.8倍以上，或者，连通孔的总开口面积为10mm2以上且1000mm2以下、且流出口处的流路的截面积为连通孔的总开口面积的0.1倍以上。
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公开(公告)号：CN102859658A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019567.8
申请日：2011-04-12
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/18 , H01L21/182 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 扩散剂组合物是在向半导体基板形成杂质扩散剂层时使用的扩散剂组合物，含有杂质扩散成分(A)、硅化合物(B)、以及包含沸点为100℃以下的溶剂(C1)、沸点为120～180℃的溶剂(C2)和沸点为240～300℃的溶剂(C3)的溶剂(C)。
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公开(公告)号：CN102473613A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036913.9
申请日：2010-08-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种扩散剂组合物，含有：杂质扩散成分(A)、在低于所述杂质扩散成分(A)开始热扩散的温度的温度下热分解而消失的粘合剂树脂(B)、SiO2微粒(C)、和包含沸点为100℃以上的有机溶剂(D1)的有机溶剂(D)。一种杂质扩散层的形成方法，包括：在半导体基板上印刷所述的扩散剂组合物而形成图案的图案形成工序，使所述扩散剂组合物的杂质扩散成分(A)向所述半导体基板扩散的扩散工序。以及一种太阳能电池，其具备利用所述的杂质扩散层的形成方法形成了杂质扩散层的半导体基板。
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