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公开(公告)号：CN109478523A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044105.9
申请日：2017-05-08
Applicant: 东丽工程株式会社
Inventor： 村田浩之
Abstract: 提供缺陷检查装置，能够使检查对象的拍摄范围可变，并且虽然采用了简单的装置结构，但能够迅速且可靠地进行缺陷的检查，还能够防止缺陷的扩展。具体而言，该缺陷检查装置对产生于宽带隙半导体基板的缺陷进行检查，该缺陷检查装置具有激发光照射部和荧光拍摄部，在荧光拍摄部中具有多个观察倍率不同的物镜，并且具有对该多个物镜中的任意一个进行选择切换的拍摄倍率切换部，在激发光照射部中具有对激发光的照射范围和能量密度进行变更的照射倍率变更部，该缺陷检查装置具有控制部，该控制部根据在拍摄倍率切换部中所选择的物镜的观察倍率，对照明倍率变更部中的激发光的照射范围和能量密度进行变更。
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公开(公告)号：CN111587395A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880085224.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: G02B27/48 , G01N21/956 , H01L21/66 , H01S3/10 , G03B21/14
Abstract: 本发明的目的在于提供激光光源装置，其使用高输出激光并且寿命长且使散斑噪声降低。本发明是射出激光的激光光源装置(1)，其中，该激光光源装置(1)具有：光束分支部(3)，其将从激光光源部(2)射出的光束(L0)分支成第1分支光束(L1)和第2分支光束(L2)；以及光束合成部(5)，其对第1分支光束(L1)和第2分支光束(L2)进行合成，与第1分支光束(L1)的光路长度相比，第2分支光束(L2)的光路长度设定得较长，在第1分支光束(L1)和第2分支光束(L2)的光路中具有扩散板(41、42、43)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111587395B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201880085224.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: G02B27/48 , G01N21/956 , H01L21/66 , H01S3/10 , G03B21/14
Abstract: 本发明的目的在于提供激光光源装置，其使用高输出激光并且寿命长且使散斑噪声降低。本发明是射出激光的激光光源装置(1)，其中，该激光光源装置(1)具有：光束分支部(3)，其将从激光光源部(2)射出的光束(L0)分支成第1分支光束(L1)和第2分支光束(L2)；以及光束合成部(5)，其对第1分支光束(L1)和第2分支光束(L2)进行合成，与第1分支光束(L1)的光路长度相比，第2分支光束(L2)的光路长度设定得较长，在第1分支光束(L1)和第2分支光束(L2)的光路中具有扩散板(41、42、43)。
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公开(公告)号：CN107110782A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004691.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 提供如下的方法和缺陷检查装置：虽然采用了简单的装置结构，但能够迅速且可靠地检查产生在宽带隙半导体基板中的缺陷。具体而言，对产生在宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查的方法或缺陷检查装置的特征在于，朝向所述宽带隙半导体基板照射激发光，对因所述激发光照射到所述宽带隙半导体基板而发出的可见光区域的光致发光进行拍摄，根据所拍摄的包含所述可见光区域的光致发光在内的图像中的、从所述宽带隙半导体基板的不存在缺陷的部位发出的光的强度与从该宽带隙半导体基板的缺陷部位发出的光的强度的差异，对产生在该宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查。
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公开(公告)号：CN118786340A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380023462.2
申请日：2023-01-18
Inventor： 村田浩之
IPC: G01N21/89
Abstract: 即使在一张基板上排列有多个发光色不同的LED元件，也能够以高吞吐率进行检查。具体而言，一种荧光检查装置，其使配置于基板上的LED元件进行荧光发光而进行检查，荧光检查装置具备基板保持部、激励光照射部、摄像部、相对移动部、检查部、控制部，激励光照射部具备第一光源及第二光源，摄像部包括：第一摄像机，其拍摄包含从被照射了第一波长的光的LED元件放射的荧光波长的光的检查图像；以及第二摄像机，其拍摄包含从被照射了第二波长的光的LED元件放射的荧光波长的光的检查图像，控制部使第一摄像机的拍摄与第一光源的发光同步，并且使第二摄像机的拍摄与第二光源的发光同步，并且一边使相对移动部在一个方向上相对移动，一边将第一摄像机与第二摄像机的拍摄定时错开而交替地进行拍摄。
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公开(公告)号：CN107110782B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201680004691.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 提供如下的方法和缺陷检查装置：虽然采用了简单的装置结构，但能够迅速且可靠地检查产生在宽带隙半导体基板中的缺陷。具体而言，对产生在宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查的方法或缺陷检查装置的特征在于，朝向所述宽带隙半导体基板照射激发光，对因所述激发光照射到所述宽带隙半导体基板而发出的可见光区域的光致发光进行拍摄，根据所拍摄的包含所述可见光区域的光致发光在内的图像中的、从所述宽带隙半导体基板的不存在缺陷的部位发出的光的强度与从该宽带隙半导体基板的缺陷部位发出的光的强度的差异，对产生在该宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查。
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公开(公告)号：CN109478523B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201780044105.9
申请日：2017-05-08
Applicant: 东丽工程株式会社
Inventor： 村田浩之
Abstract: 提供缺陷检查装置，能够使检查对象的拍摄范围可变，并且虽然采用了简单的装置结构，但能够迅速且可靠地进行缺陷的检查，还能够防止缺陷的扩展。具体而言，该缺陷检查装置对产生于宽带隙半导体基板的缺陷进行检查，该缺陷检查装置具有激发光照射部和荧光拍摄部，在荧光拍摄部中具有多个观察倍率不同的物镜，并且具有对该多个物镜中的任意一个进行选择切换的拍摄倍率切换部，在激发光照射部中具有对激发光的照射范围和能量密度进行变更的照射倍率变更部，该缺陷检查装置具有控制部，该控制部根据在拍摄倍率切换部中所选择的物镜的观察倍率，对照射倍率变更部中的激发光的照射范围和能量密度进行变更。
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