-
公开(公告)号：CN107110782B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201680004691.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 提供如下的方法和缺陷检查装置：虽然采用了简单的装置结构，但能够迅速且可靠地检查产生在宽带隙半导体基板中的缺陷。具体而言，对产生在宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查的方法或缺陷检查装置的特征在于，朝向所述宽带隙半导体基板照射激发光，对因所述激发光照射到所述宽带隙半导体基板而发出的可见光区域的光致发光进行拍摄，根据所拍摄的包含所述可见光区域的光致发光在内的图像中的、从所述宽带隙半导体基板的不存在缺陷的部位发出的光的强度与从该宽带隙半导体基板的缺陷部位发出的光的强度的差异，对产生在该宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查。
-
公开(公告)号：CN107110782A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004691.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 提供如下的方法和缺陷检查装置：虽然采用了简单的装置结构，但能够迅速且可靠地检查产生在宽带隙半导体基板中的缺陷。具体而言，对产生在宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查的方法或缺陷检查装置的特征在于，朝向所述宽带隙半导体基板照射激发光，对因所述激发光照射到所述宽带隙半导体基板而发出的可见光区域的光致发光进行拍摄，根据所拍摄的包含所述可见光区域的光致发光在内的图像中的、从所述宽带隙半导体基板的不存在缺陷的部位发出的光的强度与从该宽带隙半导体基板的缺陷部位发出的光的强度的差异，对产生在该宽带隙半导体基板中的缺陷进行检查。
-
Search Results
2
records
(took 0.022 seconds)
