一种遥测与数传一体化发射机

    公开(公告)号:CN103067326B

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201210527211.1

    申请日:2012-12-10

    Abstract: 一种遥测与数传一体化发射机,整个发射机包括载波产生(锁相倍频方式)、调相电路(模拟调相)、放大器、数传调制器(BPSK调制)、滤波器和隔离器等。参考频率进入锁相环,通过锁相倍频的方式得到发射载波,再经过调相电路后将所有遥测数据进行调相,得到遥测发射机下行信号,经过幅度放大后进入数传调制器。数传调制器和遥测调制器采用串行设计的方式,当有遥测数据时则无数传数据输入,此时发射机为遥测发射机;当进行数传调制时调相电路输入端无数据,此时发射机为数传发射机。由此实现遥测与数传一体化设计。

    一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路

    公开(公告)号:CN105262449B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201510695689.9

    申请日:2015-10-23

    Abstract: 本发明公开了一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路,该电路包括栅极偏置电路和漏极偏置电路,其中:所述栅极偏置电路包括电容C1、C3,电阻R1及扼流滤波电路K1,用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的栅极电压;所述漏极偏置电路包括电容C2、C4,电阻R2及扼流滤波电路K2,用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的漏极电压。本发明有效解决了X波段GaN HEMT功率器件在测试、使用时的直流偏置问题,特别是解决传统直流偏置电路无法获得较宽的工作带宽及较好微波扼流性能的问题。

    一种高稳定信标源
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103439685A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310375017.0

    申请日:2013-08-26

    Abstract: 本发明提供了一种高稳定信标源,包括:恒温晶振单元,用于提供高稳定的信标参考信号,其包括第一晶振与第二晶振;电源单元,为所述晶振单元提供输出信标参考信号所需的电压;信标信号选择单元,接收外界输入的信标选择遥控指令,控制所述电源单元选择为所述第一晶振或第二晶振进行供电,并输出第一晶振或第二晶振的信标参考信号;输出单元,接收所述信标信号选择单元输出的信标参考信号并输出两路高隔离度信标信号。本发明输出的信标参考信号频率稳定度高,且输出的两路信号隔离度高,并且可以实时切换选择用于输出的晶振。

    一种直流电源电压切换电路

    公开(公告)号:CN103368396A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310315874.1

    申请日:2013-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种直流电源电压切换电路,包括DC/DC电压转换模块、继电器和电压调整电阻,该继电器两端分别连接DC/DC电压转换模块的电压调节端口以及第一调节端口和第二调节端口,第一调节端口和第二调节端口与继电器间分别设置有电压调整电阻,根据该电压调整电阻的大小调整DC/DC电压转换模块的两个不同的输出电压值,该继电器控制电压调节端口与第一调节端口或第二调节端口连接,所述DC/DC电压转换模块调节并输出一比额定输出电压较高或较低的输出电压值。本发明利用同一个DC/DC电压转换模块选择比额定输出电压高或低的输出电压值,使直流电源电压切换电路具有切换稳定、调试方便、所需空间小的特点。

    一种遥测与数传一体化发射机

    公开(公告)号:CN103067326A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210527211.1

    申请日:2012-12-10

    Abstract: 一种遥测与数传一体化发射机,整个发射机包括载波产生(锁相倍频方式)、调相电路(模拟调相)、放大器、数传调制器(BPSK调制)、滤波器和隔离器等。参考频率进入锁相环,通过锁相倍频的方式得到发射载波,再经过调相电路后将所有遥测数据进行调相,得到遥测发射机下行信号,经过幅度放大后进入数传调制器。数传调制器和遥测调制器采用串行设计的方式,当有遥测数据时则无数传数据输入,此时发射机为遥测发射机;当进行数传调制时调相电路输入端无数据,此时发射机为数传发射机。由此实现遥测与数传一体化设计。

    一种高稳定信标源
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103439685B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201310375017.0

    申请日:2013-08-26

    Abstract: 本发明提供了一种高稳定信标源,包括:恒温晶振单元,用于提供高稳定的信标参考信号,其包括第一晶振与第二晶振;电源单元,为所述晶振单元提供输出信标参考信号所需的电压;信标信号选择单元,接收外界输入的信标选择遥控指令,控制所述电源单元选择为所述第一晶振或第二晶振进行供电,并输出第一晶振或第二晶振的信标参考信号;输出单元,接收所述信标信号选择单元输出的信标参考信号并输出两路高隔离度信标信号。本发明输出的信标参考信号频率稳定度高,且输出的两路信号隔离度高,并且可以实时切换选择用于输出的晶振。

    一种X波段GaNHEMT功率器件直流偏置电路

    公开(公告)号:CN105262449A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510695689.9

    申请日:2015-10-23

    Abstract: 本发明公开了一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路,该电路包括栅极偏置电路和漏极偏置电路,其中:所述栅极偏置电路包括电容C1、C3,电阻R1及扼流滤波电路K1,用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的栅极电压;所述漏极偏置电路包括电容C2、C4,电阻R2及扼流滤波电路K2,用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的漏极电压。本发明有效解决了X波段GaN HEMT功率器件在测试、使用时的直流偏置问题,特别是解决传统直流偏置电路无法获得较宽的工作带宽及较好微波扼流性能的问题。

    一种系统级封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN105047648A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510351159.2

    申请日:2015-06-23

    Abstract: 本发明提供一种系统级封装结构及封装方法,包括:垂直互连隔板;陶瓷连接器;设在所述垂直互连隔板的靠近边缘端含至少两个带屏蔽的一体化同轴垂直互连结构;上封装基板至少两个以上芯片,下封装基板至少两个以上芯片;将垂直互连隔板中至少一同轴垂直互连结构分别与上封装基板连接的第一键合线、第二键合线;将垂直互连隔板中至少一同轴垂直互连结构分别与下封装基板、陶瓷连接器的金属图形端连接的第三键合线、第四键合线、第五键合线。本发明形成的陶瓷与金属混合封装结构上下两个腔体的电路间可以实现数字、模拟与微波信号的通信,且两腔体的信号互不干扰,提高系统集成度,同时具有气密性和高散热能力。

    一种双腔体三维封装结构

    公开(公告)号:CN204696114U

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201520435555.9

    申请日:2015-06-23

    Abstract: 本实用新型提出一种双腔体三维封装结构,包括金属屏蔽隔板;分别连接在金属屏蔽隔板上下表面形成上腔体、下腔体的上封装外壳、下封装外壳;设于所述金属屏蔽隔板上表面的上封装基体,第一电路层;设于所述金属屏蔽隔板下表面的下封装基体,第二电路层;所述金属屏蔽隔板上设有至少两个安装孔;还包括固定在安装孔内的同轴垂直互连结构,以及固定在金属屏蔽隔板和下封装外壳间并与外部引脚连接的连接器;至少一同轴垂直互连结构通过键合线连接上封装基体和下封装基体,至少一同轴垂直互连结构通过键合线连接上封装基体和连接器。本实用新型使得上下腔体的电路可以通信,且两腔体的信号互不干扰,结构小型化,可提高系统集成度。

    一种T型多层外引脚连接器
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204696340U

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201520432337.X

    申请日:2015-06-23

    Abstract: 本实用新型公开了一种T型多层外引脚连接器,其包括:至少两层金属图形、高温陶瓷介质、凸台以及金属孔;其中:至少两层金属图形平行设置;高温陶瓷介质设置于相邻的金属图形之间;金属孔设置于高温陶瓷介质中,用于相邻的金属图形之间的垂直互连;凸台设置于一最外层的金属图形的外侧;凸台与其相连的所述金属图形呈T型。本实用新型的T型多层外引脚连接器具有良好的气密性,且解决了微波信号和数模信号之间的串扰问题。

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