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公开(公告)号：CN111115551B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201911241743.7
申请日：2019-12-06
Applicant: 上海航天控制技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种通过过渡层结构降低封装应力的MEMS惯性器件，所述的MEMS惯性器件包含：封装管壳、位于封装管壳内的芯片、以及设于所述封装管壳的底板与所述的芯片之间的过渡层；所述的过渡层包含若干片层，所述的片层包含：贴片胶层和应力缓冲层；所述的应力缓冲层的材质与所述的封装管壳或所述的芯片的材质相同。本发明通过对过渡层进行结构设计，在过渡层中设计应力缓冲区，应力缓冲层的材质与封装管壳或芯片的材质相同，有利于降低封装应力。
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公开(公告)号：CN110686662B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911173681.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 上海航天控制技术研究所
IPC: G01C19/5649 , G01C19/5656 , G01C25/00
Abstract: 本发明公开了一种可在线自校准的双模式差分谐振式陀螺仪系统，该系统在力平衡模式同时驱动第一模态和第二模态，并同时检测第一模态和第二模态，从而在同一个陀螺结构上实现两个力平衡模式的谐振陀螺，并通过双模式差分，可完全抑制刚度正交误差和阻尼正交误差的干扰。本发明采用完全的物理手段对刚度正交误差和阻尼正交误差进行数学消除，避免了力平衡模式中使用电路手段仅能对刚度正交误差进行抑制的不足，简化了控制电路的复杂度，可实现谐振式陀螺零位误差的在线自校准。
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公开(公告)号：CN111115551A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911241743.7
申请日：2019-12-06
Applicant: 上海航天控制技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种通过过渡层结构降低封装应力的MEMS惯性器件，所述的MEMS惯性器件包含：封装管壳、位于封装管壳内的芯片、以及设于所述封装管壳的底板与所述的芯片之间的过渡层；所述的过渡层包含若干片层，所述的片层包含：贴片胶层和应力缓冲层；所述的应力缓冲层的材质与所述的封装管壳或所述的芯片的材质相同。本发明通过对过渡层进行结构设计，在过渡层中设计应力缓冲区，应力缓冲层的材质与封装管壳或芯片的材质相同，有利于降低封装应力。
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公开(公告)号：CN110686662A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911173681.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 上海航天控制技术研究所
IPC: G01C19/5649 , G01C19/5656 , G01C25/00
Abstract: 本发明公开了一种可在线自校准的双模式差分谐振式陀螺仪系统，该系统在力平衡模式同时驱动第一模态和第二模态，并同时检测第一模态和第二模态，从而在同一个陀螺结构上实现两个力平衡模式的谐振陀螺，并通过双模式差分，可完全抑制刚度正交误差和阻尼正交误差的干扰。本发明采用完全的物理手段对刚度正交误差和阻尼正交误差进行数学消除，避免了力平衡模式中使用电路手段仅能对刚度正交误差进行抑制的不足，简化了控制电路的复杂度，可实现谐振式陀螺零位误差的在线自校准。
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