-
公开(公告)号：CN106197708A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610559867.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 上海电力学院
IPC: G01K7/00
CPC classification number: G01K7/00
Abstract: 本发明涉及一种用于极低功耗微系统的全集成温度传感器，温度传感器依次由温度感应器、电压频率转换器以及数字频率转换器组成，温度感应器将外界温度的变化转化为输出电压的变化，并传递给电压频率转换器,电压频率转换器将温度感应器输出电压转化为频率振荡的方波，并传递给数字频率转换器,数字频率转换器将该方波形转化为二进制编码的数字信号输出。当外界温度产生变化时，温度感应器中的两个N沟道场效应晶体管的导通电阻产生变化，导致温度感应器输入电压变化。温度感应器输入电压变化导致电压频率转换器输出的方波频率发生变化。最终，由数字频率转换器输出的二进制编码的数字信号发生变化。能够实现低于100nW的功耗，适合极低功耗应用场合。
-
公开(公告)号：CN106197708B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610559867.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 上海电力学院
IPC: G01K7/00
Abstract: 本发明涉及一种用于极低功耗微系统的全集成温度传感器，温度传感器依次由温度感应器、电压频率转换器以及数字频率转换器组成，温度感应器将外界温度的变化转化为输出电压的变化，并传递给电压频率转换器,电压频率转换器将温度感应器输出电压转化为频率振荡的方波，并传递给数字频率转换器,数字频率转换器将该方波形转化为二进制编码的数字信号输出。当外界温度产生变化时，温度感应器中的两个N沟道场效应晶体管的导通电阻产生变化，导致温度感应器输入电压变化。温度感应器输入电压变化导致电压频率转换器输出的方波频率发生变化。最终，由数字频率转换器输出的二进制编码的数字信号发生变化。能够实现低于100nW的功耗，适合极低功耗应用场合。
-
公开(公告)号：CN106230394A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610559889.6
申请日：2016-07-15
Applicant: 上海电力学院
Abstract: 一种ESD保护电路，涉及集成电路技术领域，所解决的是提高ESD保护效果的技术问题。该电路包括六个二极管，及两个电感器，并且该电路具有射频信号输入端脚、射频信号输出端脚；其中的，第一二极管、第五二极管的阴极接到正电源，第二二极管、第六二极管的阳极接到地，第一二极管、第三二极管的阳极及第二二极管、第四二极管的阴极分别接到射频信号输入端脚；第五二极管、第四二极管的阳极及第六二极管、第三二极管的阴极分别接到射频信号输出端脚；第一电感器的一端接到射频信号输入端脚，第一电感器的另一端接到地；第二电感器的一端接到射频信号输出端脚，第二电感器的另一端接到地。本发明提供的电路，适用射频功率放大器。
-
公开(公告)号：CN106898604A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710059793.8
申请日：2017-01-24
Applicant: 上海电力学院
IPC: H01L25/16 , H01L23/538
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/5386
Abstract: 本发明涉及一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构，硅器件和GaN器件上下连接形成共源共栅级联结构，具体结构为硅器件栅极作为级联结构栅极，硅器件源极作为级联结构源极，GaN器件漏极作为级联结构漏极，硅器件源极与GaN器件栅极连接，GaN器件源极与硅器件漏极连接，GaN器件栅极与硅器件源极连接，电容器的一端直接连接到硅器件源极，另一端通过导线连接到GaN器件源极，封装排布硅器件位于GaN器件的上部，连接部分通过结构中间位置的焊盘连接。以减少互连寄生电感。整个结构能够有效降低共源共栅级联结构中存在的寄生电感，避免大电流关断情况下GaN器件发生发散振荡现象，能够有效延长GaN器件的使用寿命。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
