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公开(公告)号：CN105390909A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510739915.9
申请日：2015-11-04
Applicant: 上海无线电设备研究所 , 上海理工大学
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于具有微纳结构的本征半导体层的太赫兹源及制备方法，该太赫兹辐射源是基于肖特基二极管结构的器件，该器件包括由上至下依次设置的：带有一个毫米级大小的窗口的第一金属电极；透明或半透明的肖特基接触层；具有微纳结构的本征半导体层；缓冲层；衬底、欧姆接触层，及，第二金属电极；该本征半导体层为III-V族高电子迁移率的化合物半导体层；该衬底为N型或P型重掺杂的高电子迁移率的半导体层。本发明的器件结构简单，技术成熟，能够使太赫兹辐射在0.5~3.0 THz 范围内辐射强度提高近10 dB；能够为太赫兹时域光谱技术在爆炸物、毒品及细菌病毒检测、生物活体成像及分析等应用领域提供廉价、高效、可室温工作的太赫兹辐射源。
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公开(公告)号：CN107681054B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710785843.0
申请日：2017-09-04
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法,先合成钙钛矿纳米颗粒，并将其溶解在有机溶剂中，并搅拌均匀，将溶液滴加到80～150℃的基板上使溶剂快速蒸发，使钙钛矿纳米颗粒均匀附着在基板上，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使钙钛矿纳米颗粒暴露在良溶剂的饱和蒸气压环境中，在10～50℃下培养1~15天，钙钛矿晶体将沿着一维方向生长，从而得到纳米线材料。本方法包括在高温下溶剂蒸发时纳米晶体的迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的纳米晶体的自组装过程。钙钛矿纳米线的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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公开(公告)号：CN109734122A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910041310.0
申请日：2019-01-16
Applicant: 上海理工大学
IPC: C01G21/00
Abstract: 本发明提出一种基于离子交换制备钙钛矿纳米线晶体的制备方法，以易制备的钙钛矿纳米线为模板，然后浸入不同卤素离子源溶液内，在10～50℃的温度下反应1～15天，随着离子交换反应时间的变化，实现原钙钛矿中的卤素离子与卤素源溶液中的卤素离子不同程度的交换，从而得到不同卤素组分的钙钛矿纳米线；本发明通过控制钙钛矿纳米线与离子源的交换时间，从而方便简洁地改变钙钛矿纳米线中卤素成分；本发明制备的含有卤素成分的钙钛矿纳米线的荧光发光范围可覆盖整个可见光波段；本制备方法原料用量少，极大降低了成本；钙钛矿纳米线质量高，且分散性分布于基板上，无需微操控转移，可进行原位表征与器件制备。
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公开(公告)号：CN109813664A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910023733.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提出了一种裸露纤芯的全光纤倏逝波传感器，包括两根光纤、一条裸露纤芯的聚合物光纤和一块基板；所述聚合物光纤的两端分别与所述光纤同轴无缝对接构成一体，对接后的所述光纤和所述聚合物光纤粘接于所述基板表面。本发明的全光纤倏逝波传感器不仅保证光纤的倏逝波最大限度地与待测物相互作用，而且能高效率地将测试信号通过光纤导入至光谱仪，对于进一步提高现有传感器的灵敏度、集成度等有很大帮助。
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公开(公告)号：CN107681054A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710785843.0
申请日：2017-09-04
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法,先合成钙钛矿纳米颗粒，并将其溶解在有机溶剂中，并搅拌均匀，将溶液滴加到80～150℃的基板上使溶剂快速蒸发，使钙钛矿纳米颗粒均匀附着在基板上，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使钙钛矿纳米颗粒暴露在良溶剂的饱和蒸气压环境中，在10～50℃下培养1~15天，钙钛矿晶体将沿着一维方向生长，从而得到纳米线材料。本方法包括在高温下溶剂蒸发时纳米晶体的迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的纳米晶体的自组装过程。钙钛矿纳米线的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102564996A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210001579.4
申请日：2012-01-05
Applicant: 上海理工大学 , 上海高晶影像科技有限公司 , 上海市分析测试协会
IPC: G01N21/35
Abstract: 一种地沟油检测系统，在飞秒激光器出射口设置半反半透分束镜，将脉冲激光分成泵浦光光路和探测光光路；泵浦光光路依次连接光斩波器、第一衰减片、第一反射镜、第二反射镜、第一聚焦透镜、砷化镓光电导天线，在第二和第三抛物面镜的共焦点上设置样品盒；在探测光光路上，依次有第二准直透镜、半波片、光路延迟器件、第三反射镜、偏振片和高阻硅反射镜，经电光晶体取样后的飞秒激光经由四分之一波片、第三聚焦透镜，第四反射镜、第四聚焦透镜、沃尔斯通棱镜、第二和第三衰减片，对准于光电探测器上进行探测，记录由于太赫兹电磁波引起的电压幅值的变化，从而得到包含地沟油信息的时域太赫兹信号。本发明检测过程简单、高效迅速，检测结果准确。
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公开(公告)号：CN110137686A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910379712.1
申请日：2019-05-08
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可涂敷于任意曲面的超宽频太赫兹吸收膜，其特征在于，包括多层由底层向上折射率逐层递减的高分子复合材料，所述高分子复合材料的折射率取值满足折射率渐变多层增透膜公式，其中，底层为至少两层相互复合的高导电率半导体微纳颗粒-聚合物复合材料层，底层的上方为至少一层中空微球聚合物复合材料层。聚合物复合材料层在固化前可涂敷于任意曲面的特性，因此大大提高了太赫兹吸收膜在实际中应用效果。本发明的可涂敷于任意曲面的超宽频太赫兹吸收膜具有结构简单、超宽频吸收和制作成本低等优点。
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公开(公告)号：CN105281043B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510794305.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了种超宽频太赫兹波减反机构及超宽频太赫兹波吸收器,依据折射率渐变增透原理,将多层折射率顺序变化的复合材料层依次重叠组成减反机构,然后将其旋涂于低阻硅上。这器件可以工作在太赫兹全频段(0.1~30THz),大大的拓宽了之前的利用电磁超材料结构的周期排列的太赫兹吸收器的工作频宽;同时,由于减反机构可以在折射率为1.2~3.5的范围内任意调节,能够极大降低太赫兹波辐射的反射,并且此吸收器结构简单,制作方便,吸收率高,制作成本低。
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公开(公告)号：CN105281043A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510794305.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了一种超宽频太赫兹波减反机构及超宽频太赫兹波吸收器，依据折射率渐变增透原理，将多层折射率顺序变化的复合材料层依次重叠组成减反机构，然后将其旋涂于低阻硅上。这一器件可以工作在太赫兹全频段(0.1～30THz)，大大的拓宽了之前的利用电磁超材料结构的周期排列的太赫兹吸收器的工作频宽；同时，由于减反机构可以在折射率为1.2～3.5的范围内任意调节，能够极大降低太赫兹波辐射的反射，并且此吸收器结构简单，制作方便，吸收率高，制作成本低。
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公开(公告)号：CN110837196A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911106037.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种耐光超分子有机晶体材料的制备方法，其特征在于，包括：将作为客体分子的有机晶体分子包合在主体分子空腔中，形成多分子包合物或单分子包合物，即得耐光超分子有机晶体材料。本发明的高耐光性超分子有机材料的方法明显提高了晶体的荧光强度，延长了晶体的荧光寿命，在皮秒泵浦激光强照射下可以长时间工作，拓宽了非线性有机晶体在光学应用领域的使用。
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