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公开(公告)号:CN107681054B
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201710785843.0
申请日:2017-09-04
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法,先合成钙钛矿纳米颗粒,并将其溶解在有机溶剂中,并搅拌均匀,将溶液滴加到80~150℃的基板上使溶剂快速蒸发,使钙钛矿纳米颗粒均匀附着在基板上,然后将该基板置于封闭的培养皿中,使钙钛矿纳米颗粒暴露在良溶剂的饱和蒸气压环境中,在10~50℃下培养1~15天,钙钛矿晶体将沿着一维方向生长,从而得到纳米线材料。本方法包括在高温下溶剂蒸发时纳米晶体的迅速析出过程,以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的纳米晶体的自组装过程。钙钛矿纳米线的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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公开(公告)号:CN107681054A
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201710785843.0
申请日:2017-09-04
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法,先合成钙钛矿纳米颗粒,并将其溶解在有机溶剂中,并搅拌均匀,将溶液滴加到80~150℃的基板上使溶剂快速蒸发,使钙钛矿纳米颗粒均匀附着在基板上,然后将该基板置于封闭的培养皿中,使钙钛矿纳米颗粒暴露在良溶剂的饱和蒸气压环境中,在10~50℃下培养1~15天,钙钛矿晶体将沿着一维方向生长,从而得到纳米线材料。本方法包括在高温下溶剂蒸发时纳米晶体的迅速析出过程,以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的纳米晶体的自组装过程。钙钛矿纳米线的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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