一种岛状纳米多孔金基底的制备方法

    公开(公告)号:CN113088906A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110312059.4

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 本发明公开了一种岛状纳米多孔金基底的制备方法,包括以下步骤:S1、进行准备镀膜的材料,制备纯铬靶材、纯金靶材、金银合金靶材;S2、使用磁控溅射镀膜仪在单晶硅表面依次溅射铬膜、金膜、和金银合金薄膜,得到薄膜前驱体;S3、利用合金成分化学活性差异,采用试剂去除合金中的银素,形成多孔金;S4、取出样品,先用去离子水冲洗数次,以出去样品表面吸附的试剂,然后用氮气吹干,得到岛状纳米多孔金SERS基底;S5、对所述步骤S4中的基底进行拉曼信号的检测。根据本发明,工艺简单成本低,可重复性好,并且制备出的基底表面均匀、时效性优异、SERS性能良好。

    一种裸露纤芯的全光纤倏逝波传感器

    公开(公告)号:CN109813664A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201910023733.X

    申请日:2019-01-10

    Abstract: 本发明提出了一种裸露纤芯的全光纤倏逝波传感器,包括两根光纤、一条裸露纤芯的聚合物光纤和一块基板;所述聚合物光纤的两端分别与所述光纤同轴无缝对接构成一体,对接后的所述光纤和所述聚合物光纤粘接于所述基板表面。本发明的全光纤倏逝波传感器不仅保证光纤的倏逝波最大限度地与待测物相互作用,而且能高效率地将测试信号通过光纤导入至光谱仪,对于进一步提高现有传感器的灵敏度、集成度等有很大帮助。

    一种利用空间啁啾太赫兹脉冲进行实时成像的装置

    公开(公告)号:CN106441576B

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201610831497.0

    申请日:2016-09-19

    Abstract: 一种利用空间啁啾太赫兹脉冲进行实时成像的装置,用于实现对物体的太赫兹实时成像,包括:激光器;分光器件,用于将激光器产生的激光分成第一光束和第二光束;脉冲光路单元,接收第一光束,包括依次通过光路连接的半导体天线、一对相互不重合布置的硅棱镜、成像透镜、用于接收成像透镜透过的光的电光晶体;探测光路单元,接收第二光束,包括依次通过光路连接的用于时间延迟的高反镜组和反射件,反射件设置在成像透镜和电光晶体之间,用于使得反射光和成像透镜透过的光汇合后照射到电光晶体上;以及信号采集和处理单元,和电光晶体连接,采集电光晶体上的信号后进行处理得到物体的太赫兹图像,其中,物体放置在硅棱镜和成像透镜之间。

    一种利用空间啁啾太赫兹脉冲进行实时成像的装置

    公开(公告)号:CN106441576A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610831497.0

    申请日:2016-09-19

    CPC classification number: G01J3/2823

    Abstract: 一种利用空间啁啾太赫兹脉冲进行实时成像的装置,用于实现对物体的太赫兹实时成像,包括:激光器;分光器件,用于将激光器产生的激光分成第一光束和第二光束;脉冲光路单元,接收第一光束,包括依次通过光路连接的半导体天线、一对相互不重合布置的硅棱镜、成像透镜、用于接收成像透镜透过的光的电光晶体;探测光路单元,接收第二光束,包括依次通过光路连接的用于时间延迟的高反镜组和反射件,反射件设置在成像透镜和电光晶体之间,用于使得反射光和成像透镜透过的光汇合后照射到电光晶体上;以及信号采集和处理单元,和电光晶体连接,采集电光晶体上的信号后进行处理得到物体的太赫兹图像,其中,物体放置在硅棱镜和成像透镜之间。

    一种用于重金属离子检测的多孔铋电极制备方法

    公开(公告)号:CN113125541A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110405678.8

    申请日:2021-04-15

    Abstract: 本发明公开了一种用于重金属离子检测的多孔铋电极制备方法,包括以下步骤:S1、制备铋合金,所述铋为相对稳定元素;S2、将所述铋合金炼制成条带或溅射为薄膜;S3、利用所述铋合金成分化学活性差异,采用试剂去除合金中的非铋元素,形成多孔铋;S4、取出所述步骤S3中的样品,先用去离子水冲洗数次,以出去样品表面吸附的试剂,然后用氮气吹干,得到三维纳米多孔铋电极。根据本发明,电极绿色环保,制备工艺简单且生产成本低;所得到的多孔铋电极微观结构可调、宏观形状和尺寸可控、比表面积大、灵敏度高;采用电化学方法可应用于溶液中痕量重金属离子的检测。

    多孔金汞离子检测荧光芯片制备方法及荧光芯片用途

    公开(公告)号:CN106179542A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610542431.X

    申请日:2016-07-11

    Inventor: 张玲 王铮 曾和平

    CPC classification number: B01L3/502707 B01L2200/10 G01N21/643 G01N2021/6417

    Abstract: 本发明涉及一种多孔金汞离子检测荧光芯片制备方法及荧光芯片用途,将金银合金放入硝酸中腐蚀后取出,清洗,物理吸附至聚合物上均匀加热后得到多孔金基底;然后多孔金基底加入4-巯基丙酸溶液浸泡;最后加入罗丹明6G溶液浸泡后取出,即可得最终产物多孔金汞离子检测荧光芯片。多孔金汞离子检测荧光芯片可用于含有汞离子的溶液的检测,对汞离子具有高度的选择性,对其它常用离子都无明显干扰。本发明方法制得的芯片灵敏度高,精确度好,检测速度快,操作简单,成本低,能耗小,可以在环境检测,食品安全,疾病检测等领域有广泛应用。

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