新型高集成度W/V波段前端及其制造方法

    公开(公告)号:CN113764880B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202111055495.4

    申请日:2021-09-09

    Abstract: 本发明提供了一种新型高集成度W/V波段前端,包括:基于多层介质的一体化馈电网络、阵列天线,具有气密特性的TR组件;阵列天线的天线单元包括开设于多层介质基板通过金属层隔离的两个盲腔,盲腔周围设有金属孔;馈电网络连接天线单元和连接TR组件;TR组件包括组件结构、若干个系统级封装模块和波导功分网络,系统性封装模块的介质基板四周围设有金属围框,并包括通过隔离棱进行信号隔离的第一区域和第二区域;第一区域上设置有第一对外射频口和与之相连的双向放大器,第二区域上设置有第二对外射频口和与之相连的多功能芯片,双向放大器和多功能芯片相连,第二对外射频口与波导功分网络相连。该前端能够满足高频带、小型化和多通道发展的要求。

    新型高集成度W/V波段前端及其制造方法

    公开(公告)号:CN113764880A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111055495.4

    申请日:2021-09-09

    Abstract: 本发明提供了一种新型高集成度W/V波段前端,包括:基于多层介质的一体化馈电网络、阵列天线,具有气密特性的TR组件;阵列天线的天线单元包括开设于多层介质基板通过金属层隔离的两个盲腔,盲腔周围设有金属孔;馈电网络连接天线单元和连接TR组件;TR组件包括组件结构、若干个系统级封装模块和波导功分网络,系统性封装模块的介质基板四周围设有金属围框,并包括通过隔离棱进行信号隔离的第一区域和第二区域;第一区域上设置有第一对外射频口和与之相连的双向放大器,第二区域上设置有第二对外射频口和与之相连的多功能芯片,双向放大器和多功能芯片相连,第二对外射频口与波导功分网络相连。该前端能够满足高频带、小型化和多通道发展的要求。

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