公开(公告)号：CN103777469A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210409067.1

申请日：2012-10-24

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 虞晔 ,  许琦欣 ,  孙刚

IPC: G03F7/20 ,  G01B9/02

Abstract: 本发明提出一种光刻机传感器校准方法，用于校正垂向测量干涉仪的阿贝臂和余弦角，通过调整工件台5自由度的姿态曝光校正垂向测量干涉仪的阿贝臂和余弦角，解决垂向干涉仪的标定问题，校正垂向测量干涉仪的阿贝臂和余弦角。

公开(公告)号：CN103777469B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210409067.1

申请日：2012-10-24

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 虞晔 ,  许琦欣 ,  孙刚

IPC: G03F7/20 ,  G01B9/02

Abstract: 本发明提出一种光刻机传感器校准方法，用于校正垂向测量干涉仪的阿贝臂和余弦角，通过调整工件台5自由度的姿态曝光校正垂向测量干涉仪的阿贝臂和余弦角，解决垂向干涉仪的标定问题，校正垂向测量干涉仪的阿贝臂和余弦角。

公开(公告)号：CN102375344A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201010256225.5

申请日：2010-08-18

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 虞晔

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明揭露了一种控制透镜像质变化的方法，在利用光刻机进行曝光处理前，对所述光刻机的透镜进行预热或预冷处理，该方法，在光刻曝光过程中，采用预热/预冷机制判断镜头是否需要预热/预冷，能够避开像质变化最快的阶段，从而更好的控制最初曝光时成像质量。

公开(公告)号：CN102375344B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201010256225.5

申请日：2010-08-18

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 虞晔

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明揭露了一种控制透镜像质变化的方法，在利用光刻机进行曝光处理前，对所述光刻机的透镜进行预热或预冷处理，该方法，在光刻曝光过程中，采用预热/预冷机制判断镜头是否需要预热/预冷，能够避开像质变化最快的阶段，从而更好的控制最初曝光时成像质量。