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公开(公告)号：CN118756327A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410847390.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种梯度浓度高熔点倍半氧化物晶体生长方法，该方法包括：构建氧化物晶体生长装置；获取原料粉体并进行预加工处理，制备具有不同浓度的氧化物原材料，所述氧化物原材料为具有不同浓度的若干圆饼块体或是具有不同浓度的料棒块体；通过壳熔法对氧化物晶体生长装置进行加热，并基于提拉法对具有不同浓度的氧化物原材料进行定向籽晶晶体生长，得到具有梯度浓度的高熔点倍半氧化物晶体。通过使用本发明，能够对晶体的生长过程中的组分与浓度进行调节，实现高效的高熔点倍半氧化物晶体生长。本发明作为一种梯度浓度高熔点倍半氧化物晶体生长方法，可广泛应用于晶体材料生长技术领域。
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公开(公告)号：CN116371452B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310423126.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开一种高效吸附和还原CO2的Cs2CuBr4光催化剂、制备方法及其应用。其制备方法为：步骤1、将CsBr、CuBr2加入到DMSO中，使其分散均匀，将该溶液注入到异丙醇中，得到Cs2CuBr4纳米晶溶液；步骤2、将分子筛加入到Cs2CuBr4纳米晶溶液中，搅拌过夜，得到悬浮液；步骤3、将步骤2所得悬浮液离心，将得到的沉淀物进行干燥，得到一种高效吸附和还原CO2的Cs2CuBr4光催化剂，具有很高的CO2吸附能力和催化活性，而且保留了Cs2CuBr4纳米晶的稳定性。其制备方法简单，可控性强，容易实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN115520898B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211205790.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开本发明公开了一种片状微晶粉体的制备方法及应用。本发明的片状微晶粉体的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9，其中x＝0～1，y＝0～1。其制备方法为：按化学通式称取原料，并称取NaCl和KCl原料；各原料与无水乙醇研磨混匀并烘干，于马弗炉中950℃下烧结；将烧结样品研磨至粉碎后转移至玻璃杯，加入去离子水，采用加热搅拌溶解‑抽滤的方法除去其中的NaCl和KCl熔盐，最后干燥即得片状微晶粉体。该片状微晶粉体的晶粒取向性明显，径向长度为0.1～2.5μm，厚度为0.05～0.3μm，具有大的宽高比。可作为制造微波介质陶瓷、闪烁透明陶瓷、硼酸盐玻璃微晶闪烁体等的前驱粉体。
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公开(公告)号：CN114032092B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111533222.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的近红外波段3+发光材料及其制备方法。本发明的Cr 掺杂的近红外波段发光材料的化学通式为CsA3+1‑yB4+2O6:yCr3+，其中，A3+选自Al3+、Ga3+和In3+中的至少一种，B4+选自Si4+、Ge4+、Sn4+、Ti4+和Zr4+中的至少一种；0.01at％
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公开(公告)号：CN114250514B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111532634.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法。本发明以B2O3‑碱金属氧化物为主，辅以少量钼的氧化物如MoO3、钼酸盐如K2Mo2O7、Na2Mo2O7等，作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，其摩尔比为0.8～1.5：0.8～2.5：0～0.3。本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒、有害成份，晶体生长温度区间为950‑1080℃，有效的降低了晶体的生长温度，溶剂粘度小、组分挥发少，高温溶液清澈透明，便于实时控制晶体生长过程，所获得的晶体质量较好，无包裹现象，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113582548B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110912686.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌有微晶相的硼酸盐闪烁玻璃及其制备方法。所述硼酸盐闪烁玻璃的基质为Li2B4O7，所述微晶相的化学式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9。将原料研磨混合，得到的玻璃混合料置于模具中压片，得到块状玻璃混合料；然后放入刚玉坩埚，将刚玉坩埚放入马弗炉中加热，得到玻璃液，急速冷却处理，得到微晶玻璃样品；将微晶玻璃样品切割至所需尺寸，打磨、抛光。本发明中的闪烁微晶玻璃材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。在X射线激发下，检测得到的闪烁玻璃的光产额在948～3606ph/MeV。
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公开(公告)号：CN115287758A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210807970.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种六水合钠铷碳氮氧溴双折射光学晶体及其制备方法和用途。化学式为Na3Rb6(CO3)3(NO3)2Br·6H2O，分子量1073.81，属于六方晶系，空间群为P63/mcm，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝2。晶体采用水热法生长。晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN111004629B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201911375423.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法，其特征在于，将PbBr2和十八烯混合，得到溶液Ⅰ；再加入油胺和油酸，得到溶液Ⅱ；加热，并将铯前驱体溶液加入到溶液Ⅱ中，用冰水浴降温，再经离心、沉淀后，将量子点分散于有机溶剂中，得到CsPbBr3量子点溶液；将吡咯和苯醌加入到CsPbBr3量子点溶液中，再加入氯仿，得到反应体系；采用氙灯为光源，进行光照，最后离心、真空干燥即可。本发明通过在CsPbBr3量子点表面包覆聚吡咯保护层，大大提高了CsPbBr3量子点在水中的稳定性。由于聚吡咯具有优异的电荷传输特性，还能提高材料的导电性能，可应用于高性能器件的光电材料。
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公开(公告)号：CN114214720A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111535091.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体的助熔剂体系及基于该助熔剂体系的晶体生长方法。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价离子掺杂β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂，体系中铋氧化物和碱金属氟化物的摩尔比为(0.8～0.75)：(0～0.1)。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为助溶体系，该体系能够在900～1280℃下完全熔融原料中的Ga2O3和金属氧化物，在本发明的工艺条件下，最终能够生长出晶体尺寸可控、成分均一的高质量的Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体。
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公开(公告)号：CN113930844A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111196947.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种籽晶诱导、自助熔剂生长CdTe晶体的方法。本发明的方法包括：按照化学计量比称取原料至石英坩埚中，抽真空后密封，放入摇摆炉中进行多晶料的合成；在PBN中装入所需取向的CdTe单晶作为籽晶，然后将自助熔剂Te和合成的CdTe多晶料按照一定比例混合均匀，装入PBN坩埚，置于石英管中，抽真空密封，在高温下生长CdTe晶体。本发明采用CdTe单晶作为籽晶和Te作为自助熔剂，对晶体炉温场、降温速率和生长速率进行控制，降低了生长温度，可以制备出所需取向、大尺寸、高质量的CdTe单晶，也可以用来生长掺杂CdTe单晶，解决了CdTe晶体的生长难题。
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