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公开(公告)号：CN114032092B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111533222.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的近红外波段3+发光材料及其制备方法。本发明的Cr 掺杂的近红外波段发光材料的化学通式为CsA3+1‑yB4+2O6:yCr3+，其中，A3+选自Al3+、Ga3+和In3+中的至少一种，B4+选自Si4+、Ge4+、Sn4+、Ti4+和Zr4+中的至少一种；0.01at％
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公开(公告)号：CN114250514B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111532634.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法。本发明以B2O3‑碱金属氧化物为主，辅以少量钼的氧化物如MoO3、钼酸盐如K2Mo2O7、Na2Mo2O7等，作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，其摩尔比为0.8～1.5：0.8～2.5：0～0.3。本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒、有害成份，晶体生长温度区间为950‑1080℃，有效的降低了晶体的生长温度，溶剂粘度小、组分挥发少，高温溶液清澈透明，便于实时控制晶体生长过程，所获得的晶体质量较好，无包裹现象，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。
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公开(公告)号：CN114214720A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111535091.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体的助熔剂体系及基于该助熔剂体系的晶体生长方法。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价离子掺杂β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂，体系中铋氧化物和碱金属氟化物的摩尔比为(0.8～0.75)：(0～0.1)。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为助溶体系，该体系能够在900～1280℃下完全熔融原料中的Ga2O3和金属氧化物，在本发明的工艺条件下，最终能够生长出晶体尺寸可控、成分均一的高质量的Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体。
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公开(公告)号：CN114214720B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202111535091.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体的助熔剂体系及基于该助熔剂体系的晶体生长方法。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价离子掺杂β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂，体系中铋氧化物和碱金属氟化物的摩尔比为(0.8～0.75)：(0～0.1)。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为助溶体系，该体系能够在900～1280℃下完全熔融原料中的Ga2O3和金属氧化物，在本发明的工艺条件下，最终能够生长出晶体尺寸可控、成分均一的高质量的Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112920801A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110175845.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海敬开德精密陶瓷有限公司
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种红光荧光粉材料及其制备方法。所述红光荧光粉材料具有磷灰石结构，其化学通式为Sr3‑yMyY7‑7xEu7x(BO4)(SiO4)m(GeO4)nF2。制备方法为：按照化学式称取原料，将原料在玛瑙研钵中充分研磨均匀，获得反应前驱体；将反应前驱体烧结，得到预烧产物；将预烧产物在玛瑙研钵中再次研磨，然后进行固相反应。本发明通过采用Mg，Ca，Ba替换部分或全部Sr，以及采用Ge替换部分或全部Si，从而影响发光中心Eu3+离子的晶体场，进而能够调节红色荧光粉的光色性能，并提高红色荧光粉的光色性能。
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公开(公告)号：CN114032092A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111533222.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的近红外波段发光材料及其制备方法。本发明的Cr3+掺杂的近红外波段发光材料的化学通式为CsA3+1‑yB4+2O6:yCr3+，其中，A3+选自Al3+、Ga3+和In3+中的至少一种，B4+选自Si4+、Ge4+、Sn4+、Ti4+和Zr4+中的至少一种；0.01at％
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公开(公告)号：CN112877069A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
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公开(公告)号：CN112877069B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
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公开(公告)号：CN112920801B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110175845.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海敬开德精密陶瓷有限公司
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种红光荧光粉材料及其制备方法。所述红光荧光粉材料具有磷灰石结构，其化学通式为Sr3‑yMyY7‑7xEu7x(BO4)(SiO4)m(GeO4)nF2。制备方法为：按照化学式称取原料，将原料在玛瑙研钵中充分研磨均匀，获得反应前驱体；将反应前驱体烧结，得到预烧产物；将预烧产物在玛瑙研钵中再次研磨，然后进行固相反应。本发明通过采用Mg，Ca，Ba替换部分或全部Sr，以及采用Ge替换部分或全部Si，从而影响发光中心Eu3+离子的晶体场，进而能够调节红色荧光粉的光色性能，并提高红色荧光粉的光色性能。
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