一种有机-无机杂化单晶分子铁电体及其制备与应用

    公开(公告)号:CN118932494A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411011809.4

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明涉及分子铁电技术领域,尤其是涉及一种有机‑无机杂化单晶分子铁电体及其制备与应用。本发明首先将Sb2O3与HCl混匀,得到SbCl3溶液;然后将SbCl3溶液与1,4‑二氨基丁烷混匀,得到混合物,然后将上述混合物与乙酸乙酯混匀,共沉淀得到有机‑无机杂化单晶分子铁电体;其中,有机‑无机杂化单晶分子铁电体的化学式为[C8N4H28][Sb2Cl10]。本发明的有机‑无机杂化单晶分子铁电体制备方法简单,成本较低,且其晶体质量好、颗粒均匀、产率高以及重复性好。本发明的有机‑无机杂化单晶分子铁电体带隙较宽,应用于光电子器件中具有更高的效率、更广泛的光谱响应范围。

    一种铅基分子铁电体及其制备方法

    公开(公告)号:CN117720568A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311725121.8

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种铅基分子铁电体及其制备方法。本发明的铅基分子铁电体的化学通式为:A2PbQ4,其中A为1,4‑二氨基丁烷、1,5‑二氨基戊烷、1,6‑二氨基己烷、1,8‑二氨基辛烷等有机配体,Q为Cl、Br、I等卤素,本发明通过简单的水热合成法制备该铅基分子铁电体。在材料结构中,每个Pb原子与六个Q原子配位形成轻微畸变的PbQ6八面体,PbQ6八面体通过共顶点连接形成八面体层,A阳离子穿插于层间隙中构成层状结构,有机配体引起的PbQ6八面体畸变是样品呈现铁电性的来源。该分子铁电体具有明显的铁电光伏特性,可广泛应用于下一代光电器件中,具有高经济价值,在信息存储、铁电光伏等领域有广阔的应用前景。

    一种单晶分子铁电体及其制备与应用

    公开(公告)号:CN118932493A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411011808.X

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明涉及光电技术领域,尤其是涉及一种单晶分子铁电体及其制备与应用。本发明首先将Sb2O3与HI混匀,得到SbI3溶液;然后将1,4‑二氨基丁烷加入Sb2O3溶液中,水热反应后后处理得到单晶分子铁电体材料。本发明的单晶分子铁电体由具有边角共享的SbI6八面体之字形链和独立的有机分子组成。SbI6八面体在配位环境中略有扭曲,这种结构设计使得正离子和阴离子的电荷中心不重叠,从而导致材料的自发极化现象。

    层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114420785B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202111583307.5

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明涉及一种复合光电材料,具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用,包括如下步骤:S1:清洗导电衬底;S2:在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜;S3:配置氧硫族化合物浆料,并旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火;S4:在步骤S3得到的复合薄膜上通过丝网印刷银浆作为背电极,得到所述的层状氧硫族化合物复合CdS光电材料,其结构从下到上依次为导电衬底、CdS薄膜、氧硫族化合物薄膜和Ag电极。与现有技术相比,本发明将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料,由于在异质界面处存在内建电势,可以有效抑制载流子复合,实现光电性能的大幅提升。

    一种单晶1,8-二氨基辛烷碘化铅分子铁电晶体及其制备与应用

    公开(公告)号:CN118957762A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411011807.5

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明涉及分子铁电技术领域,尤其是涉及一种单晶1,8‑二氨基辛烷碘化铅分子铁电晶体及其制备与应用。本发明首先将PbI2溶液与1,8‑二氨基辛烷混匀,得到混合液;然后将混合液进行水热反应,然后依次洗涤、烘干产物,得到单晶1,8‑二氨基辛烷碘化铅分子铁电晶体。本发明提供的1,8‑二氨基辛烷碘化铅分子铁电单晶结构明确,PbI6八面体层与(C8N2H22)2+阳离子层无限交错形成二维层状结构,性质稳定,具有独特的单晶图谱信息,在光电探测器、数据存储、光电子器件、铁电光伏等领域有广阔的应用前景。

    一种单晶1,4-二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体及其制备与应用

    公开(公告)号:CN118932495A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411011875.1

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明涉及分子铁电技术领域,尤其是涉及一种单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体及其制备与应用。本发明首先将PbBr2溶液与1,4‑二氨基丁烷均匀,得到混合液;然后将混合液进行水热反应,反应结束后依次洗涤、烘干产物得到单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体。本发明的单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体性质稳定,具有独特的单晶图谱信息,不仅可以提高载流子迁移率,同时也可以赋予单晶1,4‑二氨基丁烷溴化铅分子铁电晶体独特的光学、电学和光电特性,以达到优异性能的目的。

    一种层状氧硫族光电材料FeOCuQ及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113772740A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111079451.5

    申请日:2021-09-15

    Abstract: 本发明公开了一种层状氧硫族光电材料FeOCuQ及其制备方法。本发明的层状氧硫族光电材料FeOCuQ中,Q为S、Se或S与Se的混合,该体系晶体结构由FeO层和CuQ层间隔排列堆积成反PbO型层状结构,其中FeO层是以Fe为中心原子的FeO4四面体共边连接构成,CuQ由以Cu为中心原子的CuQ4四面体共边连接构成。本发明采用水热法合成了光电材料FeOCuQ,具有高效、低耗、原料来源丰富且工艺简单的特点。本发明制得的FeOCuQ光电材料在模拟太阳光照下表现出明显的光电效应和快速的响应时间,在光电探测以及太阳能电池等领域有广阔的应用前景。

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