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公开(公告)号：CN118788307B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411266183.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 上海超高环保科技股份有限公司 , 上海应用技术大学 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
Abstract: 本发明涉及一种耐磨高吸附量储氢材料的制备方法，属于氢能源存储技术领域。本发明通过柠檬酸溶胶凝胶法制备金属复合物，通过调整柠檬酸与金属离子的比例为（1.5~2）：1，使制备得到的金属复合物具有孔径分布均一和高比表面积的性能；本发明添加了钛碳化铝与稀土金属复合，两种物质的原子发生相互扩散，形成一定厚度的扩散层，扩散层会形成复合界面并使钛碳化铝掺杂到稀土金属表面，进一步提高了储氢材料的储氢性能；本发明添加了改性硅藻土，先在硝酸中，石墨烯和硅藻土发生表面修饰和化学键合，形成更加紧密的结合，这种相互作用会增加硅藻土的比表面积和孔隙率，再和硝酸锆进行混合，两者间的协同作用进一步提升了材料的储氢性能。
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公开(公告)号：CN113416978A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110612487.9
申请日：2021-06-02
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C25B11/091 , C25D9/08 , C23C18/12 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种三氧化二铁/氧化亚铜/碳布析氧电催化薄膜的制备方法。本发明的制备方法包括：1.将碳布基体进行亲水性预处理，备用；2.将步骤1所得基体浸没于Fe3+前驱体溶液中，进行水热反应得FeOOH薄膜，然后在500℃下恒温煅烧得到Fe2O3薄膜；3.以Cu2+的前驱体溶液做电解液，以步骤2所得的Fe2O3/CC作为阴极，进行恒电压电沉积，制得Fe2O3/Cu2O/CC电催化薄膜，制备所得的电催化薄膜的析氧过电位最低可达296mv，塔菲尔斜率最低为66mv/dec。本发明的制备工艺简单，重复性高，制备所得的电催化薄膜具有优异的电催化析氧性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN111203274A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010072237.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: B01J31/22 , C07C209/16 , C07C211/27 , C07C211/29 , C07C213/02 , C07C217/58
Abstract: 本发明涉及一种双通道混金属晶态催化剂及其制备方法和应用，该催化剂由Fe(NO3)3·9H2O与Zn(CCl3COO)2·2H2O构成前驱体，以H3BTC为有机桥联配体组装形成；其制备方法是将前驱体和有机桥联配体混合，形成前驱体溶液，通过溶剂热反应，得到的固体物质即为目标产物；该催化剂可应用于催化C-N偶联反应。与现有技术相比，本发明晶态材料同时具有疏水和亲水的两种性质的一维孔道、配位不饱和位点，对C-N偶联反应具有较高的催化活性，最高催化效率达到98％，选择性高达100％。
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公开(公告)号：CN110628428A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910900352.5
申请日：2019-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种铯铅卤钙钛矿量子点的制备方法，使用研磨机将铯源、铅源和卤素的前驱体混合研磨0.5～2h，研磨结束后得到铯铅卤钙钛矿量子点。与现有技术相比，本发明制备方法操作简单，工艺流程大大缩减，耗能降低，易于控制元素化学计量比，克服了现有技术中生产铯铅卤钙钛矿量子点需要苛刻的合成条件的弊端，使得铯铅卤钙钛矿量子点的工业化生产容易实施、容易调变，并可达到与现有生产方法相同的性能；仅需在制备过程中调变加入的铯源前驱体、铅源前驱体或卤素前驱体中氯、溴或碘的比例，便可制备发光波长范围不同的铯铅卤钙钛矿量子点。
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公开(公告)号：CN110563030A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910900373.7
申请日：2019-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种高纯二维层状CsPb2Br5纳米片的合成方法，包括：S1：将铯源、铅源和卤素混合均匀，加入非极性溶液。S2：使用研磨机将铯源、铅源和卤素的前驱体研磨，研磨结束后得到混合粉末。S3：将研磨后的混合粉末上覆盖碳粉，煅烧，得到高纯二维层状CsPb2Br5纳米片。与现有技术相比，本发明制备方法操作简单，工艺流程相比于现有技术大大缩减，原料广泛，易于控制元素化学计量比，易于实现工业化的放大生产，通过本技术方案制备的高纯度二维层状CsPb2Br5纳米片可用作光电材料；采用了液封/液膜封构造无氧环境，并在煅烧过程中采用碳粉绝氧，有利于二维层状CsPb2Br5纳米片的纯度提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108806996B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201810591971.6
申请日：2018-06-08
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种以泡沫镍为基体的NixMn1‑xCo2O4纳米花的制备方法，包括如下步骤：(1)制备活化的泡沫镍基体；(2)配置前驱体溶液；(3)制备NixMn1‑xCo的复合盐前驱体；(4)恒温煅烧复合盐前驱体，得到以泡沫镍为基体的NixMn1‑xCo2O4纳米花，本发明将泡沫镍中的Ni进行活化后直接作为Ni源，在添加Mn、Co源的情况下自发生长NixMn1‑xCo2O4纳米花，这种无粘结剂，低浓度下原位生长出的纳米花，具有高比容、低内阻、长寿命的特点，可用作一种超级电容器的电极材料，当x＝0.2，电流密度为0.5A/g时，最佳比电容可达到700F/g，且本发明制备条件易控，工艺简单，节能环保，可大规模应用于工业生产，这种电极材料有望在超级电容器和电池领域得到大规模应用。
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公开(公告)号：CN110124736A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910405698.8
申请日：2019-05-16
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: B01J31/22 , B01J27/24 , B01J37/08 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种复合可见光催化剂ZIF-8@S-g-氮化碳的制备方法，其特征在于，将硫脲在H2S氛围下，在管式炉中475-550℃焙烧2-4h，得到硫化层状g-C3N4，即S-g-C3N4；按比例分别称取硝酸锌、二甲基咪唑、S-g-C3N4，并将三者加入到甲醇中，配置成混合物；将混合物置于冰水浴中进行反应，得到ZIF-8@S-g-C3N4。本发明提供的ZIF-8@S-g-C3N4复合光催化剂具有较宽的光谱响应范围，较高的载流子分离效率和光催化活性，并能分离回收，循环使用，且制备方法简单，可控性强，容易实现规模化生产，无需特殊设备和苛刻条件。
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公开(公告)号：CN106694050B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201611243817.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构可见光催化剂的制备方法，先采用溶剂热方法制备出Bi2S3纳米线作为核；再以Bi2S3纳米线为基体材料，利用逐步组装法，原位生长多孔ZIF‑8作为壳，即可得到以Bi2S3纳米线为核，以ZIF‑8为壳的可见光催化剂。本发明制备条件温和，工艺简单，可操作性好，所得材料有稳定性高，催化效率高之特点，对染料废水具有明显的可见光降解作用，其中在可见光下，用于降解罗丹明B，最高催化率90 min可达97%，有望应用于其他方面，如气体吸附、光电材料或光催化材料。
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公开(公告)号：CN107899591A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710983849.9
申请日：2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
CPC classification number: B01J27/04 , A01N59/16 , B01D53/86 , B01J21/063 , B01J35/0006 , B01J35/004 , B01J35/006 , B01J35/0073
Abstract: 本发明提供了一种光触媒杀菌空气清洁剂，包括SnS2纳米片和TiO2纳米颗粒；TiO2纳米颗粒复合在SnS2纳米片的表面；TiO2纳米颗粒在SnS2纳米片的表面呈点状密集分布。本发明还提供了上述光触媒杀菌空气清洁剂的制备方法，称量SnS2粉末，置于N，N-二甲基甲酰胺溶剂中，搅拌后，在冰水浴中超声剥离，然后将得到的溶液进行离心处理，取上层清液即为单层SnS2纳米片溶液；向单层SnS2纳米片溶液中加入TiCl3，然后加入乙醇，将该溶液移入高压反应釜中加热，最后离心分离，得到光触媒杀菌空气清洁剂。采用本发明的方法得到的光触媒杀菌空气清洁剂形貌良好，具有操作简单，产量高，制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN106784038B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710007098.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C03C17/34
Abstract: 本发明一种组分可调的光电薄膜的制备方法，按照摩尔比称取Cu、Sb、Bi对应的化合物以及硫源，将上述的化合物溶解在乙二醇中，经抽滤、洗涤、干燥制成铜锑铋硫前驱体粉末；将前驱体粉末溶解在二甲基甲酰胺、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇组成的混合溶液中制得前驱物溶液，在FTO衬底上旋涂；将获得的产品在200‑500℃退火，得到铜锑铋硫预制薄膜；将预制薄膜在300‑700℃硫化退火获得光电薄膜。
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