公开(公告)号：CN112599666A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011424817.3

申请日：2020-12-09

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 郝艳 ,  周细应 ,  吴德振 ,  周文华 ,  范志君 ,  邱小小 ,  刘银杰

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种Si‑Sb‑Sn相变存储材料及其制备方法，采用磁控溅射法制备，磁控溅射的工艺参数为：氩气流量30～35sccm，溅射气压0.8～1Pa；Si靶溅射功率50W，Sb靶溅射功率20W，Sn靶的溅射功率8～12W；制得的Si‑Sb‑Sn相变存储材料的通式为Snx(Si16Sb84)100‑x，0

公开(公告)号：CN109136636A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811148462.2

申请日：2018-09-29

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 周细应 ,  吴德振 ,  朱玉坤 ,  邱小小 ,  郝艳 ,  刘银杰

IPC: C22C9/02 ,  C22C1/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02

CPC classification number: C22C9/02 ,  C22C1/03 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明属于合金技术领域，具体涉及一种铜合金线材及其制备方法，该铜合金线材，以铜为基体，添加元素包括锡或者锡和至少一种以下元素：钛、镁、硅或硼。其制备方法为铜合金液经引杆制备的铜合金杆，经缩颈加工并进行再结晶热处理后，依次经过大拉、中拉和小拉，制备得到铜合金线。该铜合金线材易于细化，抗拉强度高，导电性强，可满足要求严苛的同轴线、汽车轻量化用线及微型扬声器线圈用线等领域的应用，应用前景可期待性高，且成本低。