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公开(公告)号：CN112599666A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011424817.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 上海工程技术大学
Inventor： 郝艳 , 周细应 , 吴德振 , 周文华 , 范志君 , 邱小小 , 刘银杰
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种Si‑Sb‑Sn相变存储材料及其制备方法，采用磁控溅射法制备，磁控溅射的工艺参数为：氩气流量30～35sccm，溅射气压0.8～1Pa；Si靶溅射功率50W，Sb靶溅射功率20W，Sn靶的溅射功率8～12W；制得的Si‑Sb‑Sn相变存储材料的通式为Snx(Si16Sb84)100‑x，0
