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公开(公告)号：CN117214277A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311212491.1
申请日：2023-09-20
Applicant: 上海大学 , 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01N27/62 , G05B19/042
Abstract: 本发明提供了一种基于高速ADC采集脉冲面积的离子计数方法，属于离子检测技术领域。本方法包括以下步骤：步骤一、质谱检测过程是离子通过质谱质量分析器到达检测器，通过检测器输出电流信号；步骤二、将电流信号进行IV转换得到电压信号，将电压信号进行预处理后再进行数模转换得到具有完整峰强和宽度信息的脉冲信号；步骤三、对步骤二中得到的脉冲信号进行面积积分SADC，再通过累加器将同一质荷比的离子的信号累加：Cn+1＝Cn+SADC，通过积分面积来表征该质荷比离子的数目强度信息。本方法计数漏检率低、相比现有上升沿计数方式更准确、实用性好且适用性高。
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公开(公告)号：CN117233238A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311203687.4
申请日：2023-09-19
Applicant: 上海大学 , 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明提供了一种基于脉冲宽度的离子计数方法，属于离子检测技术领域。本方法包括以下步骤：步骤一、质谱检测过程是离子通过质谱质量分析器到达检测器，通过检测器输出电流信号；步骤二、将电流信号转换为方波脉冲信号；步骤三、按照设定的采样时钟对方波脉冲信号进行判断，在时钟信号上升沿到来时，若方波脉冲信号为高电平，则计数加一。本方法计数结果更接近实际结果漏检率更低，计数更准确。
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公开(公告)号：CN118504515A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410633717.3
申请日：2024-05-21
Applicant: 上海大学
IPC: G06F30/398 , G06F17/12 , G06F17/13 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供基于傅里叶级数区域分解的芯片热分析方法及系统，方法包括：获得芯片区域分布数据集，功耗分布数据集以及验证数据集；计算芯片各区域温度；将所述解un(y)带入预置表达式中进行循环操作，以完成函数值遍历、累加操作，得到温度分布结果T(x,y)；将所述温度分布结果T(x,y)与有限元仿真结果进行比较，判断所述温度分布结果T(x,y)的精确度，对数值积分方法和分段解析方法进行对比，获取算法运行精度速度判定结果。本发明解决了热分析速率及精度较低，以及温度求解效率较低的技术问题。
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公开(公告)号：CN118350343A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410633674.9
申请日：2024-05-21
Applicant: 上海大学
IPC: G06F30/398 , G06F17/13 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供基于傅里叶级数展开的芯片热分析方法及系统，方法包括：获得芯片区域分布数据集，功耗分布数据集以及验证数据集；计算芯片各区域温度；利用预置实现工具，根据功耗与温度泛定方程、边界条件、功耗分布与模块坐标关系函数f(x,y)，推得理论计算公式；将理论计算公式与有限元仿真结果进行比较，判断理论计算公式的计算精确度，对数值积分方法和解析方法进行对比，获取算法运行精度速度判定结果。本发明解决了芯片热分析速率及精度较低、温度求解速度较慢的技术问题。
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公开(公告)号：CN107140632B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710466829.4
申请日：2017-06-20
Applicant: 上海大学
IPC: C01B32/198
Abstract: 本发明涉及一种机械强度高的大尺寸氧化石墨烯片层的制备方法，其步骤包括：首先选用加入过硫酸钾和五氧化二磷、浓硫酸对石墨进行前处理，然后在冰浴条件下用高锰酸钾对石墨进一步氧化，温度控制在4～6℃，在经过一段时间的搅拌、稀释、搅拌过程后立刻加入去离子水及过氧化氢进行反应，稀释过程温度控制在14～18℃，最后经过多步离心，向上述氧化石墨烯的分散溶液中加入浓度为5mol／L的NaCl进行氧化石墨烯片层的分离，NaCl溶解至30%饱和度，溶液析出沉淀物；溶液静置过夜，去除上清液，即制得大尺寸氧化石墨烯片层。该方法制备过程安全简单，可以制备出7～8μm的大尺寸氧化石墨烯片层且尺寸分布集中，片层机械强度高，制备周期短，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107640765B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610575159.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 上海大学
IPC: C01B32/198 , B01D71/02 , B01D69/02 , B01D67/00 , B01D61/00
Abstract: 本发明公开了一种层间距可控的氧化石墨烯膜及其制备方法、应用。其制备方法包括下述步骤：将氧化石墨烯膜浸润在盐的水溶液A中浸润至溶胀后，即得层间距可控的氧化石墨烯膜；盐的水溶液A为含有金属阳离子的溶液，金属阳离子的浓度为0.25～2.5mol/L。本发明可精确控制氧化石墨烯膜的层间通道的尺寸在范围内，以幅度进行精确的尺寸变化；本发明层间距可控的氧化石墨烯膜具有优异的机械强度，渗透实验5h后，仍保持完整的膜状态；制备过程简单，易于操作，使氧化石墨烯膜具有筛选和过滤较小离子的作用，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109481951A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710824057.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种二维无机盐晶体及其制备方法。该二维无机盐晶体的元素化学计量比非常规，所述二维无机盐晶体的元素化学计量比为1.1：1～6.0：1，其XRD衍射图谱在(200)处和(400)处出现衍射峰；该二维无机盐晶体的制备方法括下述步骤：将碳基材料浸泡在无机盐溶液中10～120min，至析出晶体即可，无机盐溶液为非饱和溶液，其摩尔浓度≥1mol/L。本发明的制备方法具有普适性，制备过程简单，易于操作，实现了在常温常压非饱和溶液中制备非常规化学计量的二维晶体，解决了常温常压下非饱和溶液结晶的难点，开辟了制备二维新晶体的新途径，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109481950A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710822861.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基材料的非饱和盐溶液结晶的方法。该方法包括下述步骤：将碳基材料浸泡在盐溶液中10～120min，至析出晶体即可；其中，所述盐溶液为非饱和溶液，所述盐溶液的摩尔浓度≥1mol/L。本发明的方法制备过程简单，易于操作，实现了在常温常压非饱和溶液中制备晶体，开辟了远低于饱和浓度条件下制备晶体的方法，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107140632A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710466829.4
申请日：2017-06-20
Applicant: 上海大学
IPC: C01B32/198
CPC classification number: C01B2204/32 , C01P2004/04
Abstract: 本发明涉及一种机械强度高的大尺寸氧化石墨烯片层的制备方法，其步骤包括：首先选用加入过硫酸钾和五氧化二磷、浓硫酸对石墨进行前处理，然后在冰浴条件下用高锰酸钾对石墨进一步氧化，温度控制在4～6℃，在经过一段时间的搅拌、稀释、搅拌过程后立刻加入去离子水及过氧化氢进行反应，稀释过程温度控制在14～18℃，最后经过多步离心，向上述氧化石墨烯的分散溶液中加入浓度为5mol／L的NaCl进行氧化石墨烯片层的分离，NaCl溶解至30%饱和度，溶液析出沉淀物；溶液静置过夜，去除上清液，即制得大尺寸氧化石墨烯片层。该方法制备过程安全简单，可以制备出7～8μm的大尺寸氧化石墨烯片层且尺寸分布集中，片层机械强度高，制备周期短，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106634064A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510709322.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种耐磨超疏水涂料组合物，该组合物至少包含：（ⅰ）具有氨基的超疏水纳米溶胶，（ⅱ）能与超疏水溶胶反应或通过氢键、分子间力与超疏水溶胶结合的树脂。该涂料组合物可用浸涂、旋涂、喷涂或淋涂的方法涂布于玻璃、金属、陶瓷、纸、布料等基体表面，形成超疏水涂层。其中在玻璃、金属等硬基材上形成的涂层具有优异的疏水性和耐磨性：接触角大于160°，滚动角1°；在100 g砝码的压力下，用240目的砂纸磨，每次磨10 cm，磨40次后接触角仍大于157°；铅笔硬度7~9H，附着力0~1级。
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