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公开(公告)号：CN109481951A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710824057.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种二维无机盐晶体及其制备方法。该二维无机盐晶体的元素化学计量比非常规，所述二维无机盐晶体的元素化学计量比为1.1：1～6.0：1，其XRD衍射图谱在(200)处和(400)处出现衍射峰；该二维无机盐晶体的制备方法括下述步骤：将碳基材料浸泡在无机盐溶液中10～120min，至析出晶体即可，无机盐溶液为非饱和溶液，其摩尔浓度≥1mol/L。本发明的制备方法具有普适性，制备过程简单，易于操作，实现了在常温常压非饱和溶液中制备非常规化学计量的二维晶体，解决了常温常压下非饱和溶液结晶的难点，开辟了制备二维新晶体的新途径，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109481950A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710822861.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基材料的非饱和盐溶液结晶的方法。该方法包括下述步骤：将碳基材料浸泡在盐溶液中10～120min，至析出晶体即可；其中，所述盐溶液为非饱和溶液，所述盐溶液的摩尔浓度≥1mol/L。本发明的方法制备过程简单，易于操作，实现了在常温常压非饱和溶液中制备晶体，开辟了远低于饱和浓度条件下制备晶体的方法，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110040731B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810036744.7
申请日：2018-01-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: C01B32/198
Abstract: 本发明公开了一种基于离子调控石墨烯膜层间距的方法。该方法包括下述步骤：将氧化石墨烯膜在无机盐水溶液或无机碱的水溶液中浸润0.2‑1h即可；无机盐水溶液或无机碱的水溶液的阴离子的浓度为0.10‑1.0mol/L。本发明的方法可精确控制干燥状态下的氧化石墨烯膜的层间距在范围内，以幅度进行精确的尺寸变化；湿润状态下氧化石墨烯膜的层间距在范围内，以幅度进行精确的尺寸变化，且该氧化石墨烯膜不易破裂；本发明的方法制备过程简单，易于操作，使氧化石墨烯膜具有筛选和过滤较小离子的作用，在海水淡化、污水净化、气体分离以及电池、电容器领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110040731A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201810036744.7
申请日：2018-01-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: C01B32/198
Abstract: 本发明公开了一种基于离子调控石墨烯膜层间距的方法。该方法包括下述步骤：将氧化石墨烯膜在无机盐水溶液或无机碱的水溶液中浸润0.2-1h即可；无机盐水溶液或无机碱的水溶液的阴离子的浓度为0.10-1.0mol/L。本发明的方法可精确控制干燥状态下的氧化石墨烯膜的层间距在范围内，以 幅度进行精确的尺寸变化；湿润状态下氧化石墨烯膜的层间距在 范围内，以 幅度进行精确的尺寸变化，且该氧化石墨烯膜不易破裂；本发明的方法制备过程简单，易于操作，使氧化石墨烯膜具有筛选和过滤较小离子的作用，在海水淡化、污水净化、气体分离以及电池、电容器领域具有良好的应用前景。
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