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公开(公告)号：CN103949772B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410162039.3
申请日：2014-04-22
Applicant: 上海大学
IPC: B23K26/00 , B23K26/0622 , B23K26/70
Abstract: 本发明涉及一种飞秒激光在透明材料内制备三维可旋转纳米体光栅的方法，属飞秒激光应用技术领域。本发明的特点是仅改变入射激光的脉冲前沿倾斜和偏振方向即可以在激光焦点区域得到特定取向的三维纳米体光栅结构。入射的飞秒脉冲激光为线偏振光，波长为800nm，脉冲宽度为100~150fs，脉冲能量为1~6mJ，且脉冲光强空间分布为高斯分布。透明介质内部辐照区域经机械抛光和化学腐蚀后，可以用扫描电子显微镜观测到纳米体光栅的剖面结构来验证结果。
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公开(公告)号：CN103949772A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410162039.3
申请日：2014-04-22
Applicant: 上海大学
IPC: B23K26/00 , B23K26/0622 , B23K26/70
CPC classification number: B23K2103/50 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/50
Abstract: 本发明涉及一种飞秒激光在透明材料内制备三维可旋转纳米体光栅的方法，属飞秒激光应用技术领域。本发明的特点是仅改变入射激光的脉冲前沿倾斜和偏振方向即可以在激光焦点区域得到特定取向的三维纳米体光栅结构。入射的飞秒脉冲激光为线偏振光，波长为800nm，脉冲宽度为100~150fs，脉冲能量为1~6mJ，且脉冲光强空间分布为高斯分布。透明介质内部辐照区域经机械抛光和化学腐蚀后，可以用扫描电子显微镜观测到纳米体光栅的剖面结构来验证结果。
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公开(公告)号：CN101671007A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196593.2
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种四足结构的纳米硒化锌，该硒化锌纳米晶由两个晶相构成，具体为一个立方晶核和四个均为六方相的对称的分支足。其制备方法是：以硒化锌粉末与活性碳粉末的摩尔比为3～5∶1混合作为原料，以高纯氮气为运载气，在高温电阻炉的石英管中，于原料区反应温度在1000～1200℃热蒸发反应30～120min，反应后，在石英管中反应时的温区为250～400℃区域收集到的沉积产物，即为四足结构的硒化锌纳米晶材料。基于这种成本低廉、操作简单的半导体材料制备，将有可能开发出具备新颖光电性能的新型半导体纳米材料。
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公开(公告)号：CN110441929A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910750647.9
申请日：2019-08-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹发射器及其制作方法，基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器从下往上依次为：基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层；所述基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层均通过原子级别的生长方式结合在一起。本发明利用物理或化学的方法在基片衬底上蒸镀多层复合膜，利用微纳加工技术制备阵列结构；本发明发射器所发射的电磁波频率在0.1THz～10THz范围，发射太赫兹波振幅、频宽、中心频率、波形可调谐；本发明的阵列式太赫兹波发射器具有体积小、转换效率高、频谱宽和可调谐等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109300922A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811197488.6
申请日：2018-10-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构的设计，利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计铁磁钉扎层，以之取代外置磁场，从而减小太赫兹辐射器件的体积。本发明可实现太赫兹发射芯片的制备；通过控制复合膜结构中不同的材料与薄膜厚度，实现太赫兹辐射效率、带宽及偏振态的调控；本太赫兹发射芯片所辐射的电磁波频率范围为0.1THz～10THz，脉冲能量为微焦量级，完全满足太赫兹光谱和太赫兹成像的应用需求。
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公开(公告)号：CN103064146A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210446050.3
申请日：2012-11-09
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/13
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波段光子晶体制作方法。本发明通过选择适当材料，利用飞秒微加工直写技术，分散加工，组装堆叠的方法，可以实现一维、二维或者三维太赫兹波段光子晶体的制作，可以方便的在制作的太赫兹波段光子晶体中添加缺陷。本发明制作的光子晶体对应的波段处于太赫兹波段，位于微波和红外波之间，光子晶体周期介质单元尺寸在百微米量级。本发明制作的光子晶体周期介质的单元形状规整，能够良好的对太赫兹波段电磁波进行调节控制，具有理想的太赫兹波段电磁波透射谱以及反射谱。本发明的制作方法，可以制作包括光子晶体在内的多种复杂结构的太赫兹波段光子器件。
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公开(公告)号：CN101702042A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910198202.0
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波段偏振片及其制作方法。本偏振片由基片和基片上的金属薄膜组成，金属薄膜上有周期性金属金属刻槽形成金属线条。本方法利用物理或化学的方法在基片上镀膜，利用脉冲激光对金属薄膜刻蚀。本偏振片的波段处于微波和红外波之间，本偏振片在频率0.1THz～1.6THz的范围消光比都小于10％。本发明的制作方法中，采用激光离焦的方法对金属薄膜进行刻蚀，只需通过控制激光焦点到金属表面的距离来控制刻蚀线条的宽度。
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公开(公告)号：CN109300922B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811197488.6
申请日：2018-10-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构的设计，利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计铁磁钉扎层，以之取代外置磁场，从而减小太赫兹辐射器件的体积。本发明可实现太赫兹发射芯片的制备；通过控制复合膜结构中不同的材料与薄膜厚度，实现太赫兹辐射效率、带宽及偏振态的调控；本太赫兹发射芯片所辐射的电磁波频率范围为0.1THz～10THz，脉冲能量为微焦量级，完全满足太赫兹光谱和太赫兹成像的应用需求。
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公开(公告)号：CN101671007B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910196593.2
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种四足结构的纳米硒化锌，该硒化锌纳米晶由两个晶相构成，具体为一个立方晶核和四个均为六方相的对称的分支足。其制备方法是：以硒化锌粉末与活性炭粉末的摩尔比为3～5∶1混合作为原料，以高纯氮气为运载气，在高温电阻炉的石英管中，于原料区反应温度在1000～1200℃热蒸发反应30～120min，反应后，在石英管中反应时的温区为250～400℃区域收集到的沉积产物，即为四足结构的硒化锌纳米晶材料。基于这种成本低廉、操作简单的半导体材料制备，将有可能开发出具备新颖光电性能的新型半导体纳米材料。
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