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公开(公告)号：CN109300922B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811197488.6
申请日：2018-10-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构的设计，利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计铁磁钉扎层，以之取代外置磁场，从而减小太赫兹辐射器件的体积。本发明可实现太赫兹发射芯片的制备；通过控制复合膜结构中不同的材料与薄膜厚度，实现太赫兹辐射效率、带宽及偏振态的调控；本太赫兹发射芯片所辐射的电磁波频率范围为0.1THz～10THz，脉冲能量为微焦量级，完全满足太赫兹光谱和太赫兹成像的应用需求。
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公开(公告)号：CN110441929A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910750647.9
申请日：2019-08-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹发射器及其制作方法，基于磁电子学阵列式可调谐太赫兹波发射器从下往上依次为：基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层；所述基片衬底、金属层I、铁磁层、金属层II、覆盖层均通过原子级别的生长方式结合在一起。本发明利用物理或化学的方法在基片衬底上蒸镀多层复合膜，利用微纳加工技术制备阵列结构；本发明发射器所发射的电磁波频率在0.1THz～10THz范围，发射太赫兹波振幅、频宽、中心频率、波形可调谐；本发明的阵列式太赫兹波发射器具有体积小、转换效率高、频谱宽和可调谐等优点。
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公开(公告)号：CN109300922A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811197488.6
申请日：2018-10-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明属于光电功能器件技术领域，公开了一种基于电子自旋的高效太赫兹发射芯片及其制作方法，利用物理或化学镀膜方法，在衬底基片上相继镀有多层磁性金属薄膜和非磁性金属薄膜，组成复合膜结构；通过复合膜结构的设计，利用逆自旋霍尔效应产生强太赫兹辐射；同时在复合膜结构中设计铁磁钉扎层，以之取代外置磁场，从而减小太赫兹辐射器件的体积。本发明可实现太赫兹发射芯片的制备；通过控制复合膜结构中不同的材料与薄膜厚度，实现太赫兹辐射效率、带宽及偏振态的调控；本太赫兹发射芯片所辐射的电磁波频率范围为0.1THz～10THz，脉冲能量为微焦量级，完全满足太赫兹光谱和太赫兹成像的应用需求。
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公开(公告)号：CN103064146A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210446050.3
申请日：2012-11-09
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/13
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波段光子晶体制作方法。本发明通过选择适当材料，利用飞秒微加工直写技术，分散加工，组装堆叠的方法，可以实现一维、二维或者三维太赫兹波段光子晶体的制作，可以方便的在制作的太赫兹波段光子晶体中添加缺陷。本发明制作的光子晶体对应的波段处于太赫兹波段，位于微波和红外波之间，光子晶体周期介质单元尺寸在百微米量级。本发明制作的光子晶体周期介质的单元形状规整，能够良好的对太赫兹波段电磁波进行调节控制，具有理想的太赫兹波段电磁波透射谱以及反射谱。本发明的制作方法，可以制作包括光子晶体在内的多种复杂结构的太赫兹波段光子器件。
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