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公开(公告)号：CN113072936B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110356877.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于金属离子检测技术领域，具体涉及一种基于碳量子点‑卟啉组装的荧光探针，本发明通过高效的荧光共振能量转移技术，将氮、硫共掺杂的碳量子点溶液与TMPyP卟啉溶液通过荧光共振能量转移组装成了特定功能化的碳量子点‑卟啉组装体系，从而构建了一种可以用于特异性检测金属铜离子的荧光探针。本发明所述荧光探针通过720nm处的荧光信号变化来检测Cu2+的浓度，具有操作简单、灵敏度高、检测限低、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN113072936A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110356877.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于金属离子检测技术领域，具体涉及一种基于碳量子点‑卟啉组装的荧光探针，本发明通过高效的荧光共振能量转移技术，将氮、硫共掺杂的碳量子点溶液与TMPyP卟啉溶液通过荧光共振能量转移组装成了特定功能化的碳量子点‑卟啉组装体系，从而构建了一种可以用于特异性检测金属铜离子的荧光探针。本发明所述荧光探针通过720nm处的荧光信号变化来检测Cu2+的浓度，具有操作简单、灵敏度高、检测限低、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN119685748A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510213512.4
申请日：2025-02-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法。本发明包括以下步骤：在超高真空条件下，将衬底置于掩膜结构中，其中，掩膜结构设置有开口，衬底位于开口的正下方；将掩膜结构置于超高真空蒸镀设备中，采用真空蒸镀法，根据薄膜材料的组分，将对应的组分通过开口对掩膜结构中的衬底依次蒸发沉积，蒸发沉积后对掩膜结构进行旋转，再进行下一次蒸发沉积；其中，下一次蒸发沉积的组分与上一次蒸发沉积的所有组分均部分重叠，直至所有组分蒸发沉积结束，得到薄膜材料。本发明的旋转掩膜法操作简单，通过在一个衬底上沉积多种组分组合的薄膜材料，降低重复人工操纵，提升实验成功率。
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