公开(公告)号：CN119685748A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202510213512.4

申请日：2025-02-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 李易璋 ,  张欣怡 ,  陆佳宜 ,  杨泰然 ,  向娟 ,  黄琦 ,  李蝉羽 ,  孙强

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法。本发明包括以下步骤：在超高真空条件下，将衬底置于掩膜结构中，其中，掩膜结构设置有开口，衬底位于开口的正下方；将掩膜结构置于超高真空蒸镀设备中，采用真空蒸镀法，根据薄膜材料的组分，将对应的组分通过开口对掩膜结构中的衬底依次蒸发沉积，蒸发沉积后对掩膜结构进行旋转，再进行下一次蒸发沉积；其中，下一次蒸发沉积的组分与上一次蒸发沉积的所有组分均部分重叠，直至所有组分蒸发沉积结束，得到薄膜材料。本发明的旋转掩膜法操作简单，通过在一个衬底上沉积多种组分组合的薄膜材料，降低重复人工操纵，提升实验成功率。