公开(公告)号：CN114038932A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111179549.8

申请日：2021-10-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  兰自轩 ,  王艺琳 ,  吴康敬 ,  赵磊

IPC: H01L31/0745 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种背部含有氧化硅‑氮化钛双层接触结构的单晶硅太阳能电池及其制备方法，以n型Si衬底为基底，在衬底正面依次向外设置超薄a‑SiOx(In)层、ITO薄膜、正面银电极、正面铝电极，在n型Si衬底背部设置背部钝化结构，背面钝化结构为叠层钝化介质层，叠层钝化介质层由内向外依次为超薄SiOx薄膜和TiNy薄膜，背面钝化结构外面为Al背电极；背部钝化接触单晶硅太阳能电池的钝化接触层位于电池背面，包括超薄疏松SiOx层和TiNy薄膜。该钝化结构中SiOx通过硝酸氧化制备，该钝化结构中的TiNy薄膜通过直流磁控溅射制备；本发明在电池背面引入钝化接触结构，能实现背面良好的全面积钝化，减少背部表面复合，提高太阳能电池的开路电压，达到提高光电转换效率的目的。

公开(公告)号：CN111884588A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010736268.7

申请日：2020-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  吴康敬 ,  李勇 ,  高明 ,  赵磊 ,  徐飞

IPC: H02S50/10

Abstract: 本发明公开了一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，能准确评估硅基异质结光伏器件界面态密度，待测的器件的钝化隧穿介质为超薄准绝缘SiOx层，其厚度≤2.0nm，且内部含有少量金属元素。通常采用深能级瞬态谱方法测量具有较厚氧化物和氮化硅绝缘层的异质结器件界面态密度，然而针对界面层为超薄准绝缘SiOx层时，DLTS等常规方法在正偏压稍高的情况下，易产生电容溢出现象，难以获得界面态信号。因此针对该类异质结器件界面区电子结构的特殊性，本发明采用不低于1.0MHz的高频光注入方式测量器件在黑暗和光照下C-V特性，结合二极管电容近似和数值计算模型，从上述两种C-V曲线中提取与界面态相关信息，间接测量得到该类异质结器件的界面态密度。