公开(公告)号：CN100490957C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200710039945.4

申请日：2007-04-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 周瑞敏 ,  吴新锋 ,  郝旭峰 ,  周菲 ,  王智涛 ,  贵舜延 ,  邓邦俊

IPC: B01D71/46 ,  B01D67/00

Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照剂量聚酰亚胺类微孔分离膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜加工处理技为领域。本发明方法以各种单体聚合而成的聚酰亚胺类薄膜为主要膜材料，在其上覆盖好具有微孔图案的金属模板，采用常规电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐照剂量为600～1200KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合蚀刻溶液中，其中H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60℃～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应时间为5～10小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜。

公开(公告)号：CN101053786A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710039945.4

申请日：2007-04-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 周瑞敏 ,  吴新锋 ,  郝旭峰 ,  周菲 ,  王智涛 ,  贵舜延 ,  邓邦俊

IPC: B01D71/46 ,  B01D67/00

Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照剂量聚酰亚胺类微孔分离膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜加工处理技为领域。本发明方法以各种单体聚合而成的聚酰亚胺类薄膜为主要膜材料，在其上覆盖好具有微孔图案的金属模板，采用常规电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐照剂量为600～1200KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合蚀刻溶液中，其中H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60℃～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应时间为5～10小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜。