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公开(公告)号：CN100509930C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710041191.6
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法，属辐射化学改性高分子材料工艺技术领域。本发明方法的主要特点是：首先选用金属膜为掩膜材料，用紫外光激光器在金属膜上打出微米级规整排列的小孔，形成微孔阵列结构的金属掩膜；将该掩膜覆盖于聚酯类高分子薄膜上，随后用高能电子束辐照裂解聚酯类高分子薄膜，然后在一定温度和时间下用重铬酸钾和浓硫酸的混合腐蚀液进行腐蚀，经洗涤干燥后，即得微孔阵列聚酯类高分子模板，其最小孔径可达10～20μm。本发明方法采用的电子加速器所产生电子束的辐照剂量为300～1200KGy；所用腐蚀液为：H2SO47.0～10.0mol/L，K2Cr2O70.10～0.30mol/L的混合液；腐蚀蚀刻温度为70～90℃，时间为7～10小时。
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公开(公告)号：CN101053786A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710039945.4
申请日：2007-04-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照剂量聚酰亚胺类微孔分离膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜加工处理技为领域。本发明方法以各种单体聚合而成的聚酰亚胺类薄膜为主要膜材料，在其上覆盖好具有微孔图案的金属模板，采用常规电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐照剂量为600～1200KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合蚀刻溶液中，其中H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60℃～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应时间为5～10小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜。
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公开(公告)号：CN101067027A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710041191.6
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法，属辐射化学改性高分子材料工艺技术领域。本发明方法的主要特点是：首先选用金属膜为掩膜材料，用紫外光激光器在金属膜上打出微米级规整排列的小孔，形成微孔阵列结构的金属掩膜；将该掩膜覆盖于聚酯类高分子薄膜上，随后用高能电子束辐照裂解聚酯类高分子薄膜，然后在一定温度和时间下用重铬酸钾和浓硫酸的混合腐蚀液进行腐蚀，经洗涤干燥后，即得微孔阵列聚酯类高分子模板，其最小孔径可达10～20μm。本发明方法采用的电子加速器所产生电子束的辐照剂量为300～1200KGy；所用腐蚀液为：H2SO47.0～10.0mol/l，K2Cr2O70.10～0.30mol/l的混合液；腐蚀蚀刻温度为70～90℃，时间为7～10小时。
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公开(公告)号：CN100490957C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710039945.4
申请日：2007-04-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照剂量聚酰亚胺类微孔分离膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜加工处理技为领域。本发明方法以各种单体聚合而成的聚酰亚胺类薄膜为主要膜材料，在其上覆盖好具有微孔图案的金属模板，采用常规电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐照剂量为600～1200KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合蚀刻溶液中，其中H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60℃～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应时间为5～10小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜。
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