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公开(公告)号：CN101067027A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710041191.6
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法，属辐射化学改性高分子材料工艺技术领域。本发明方法的主要特点是：首先选用金属膜为掩膜材料，用紫外光激光器在金属膜上打出微米级规整排列的小孔，形成微孔阵列结构的金属掩膜；将该掩膜覆盖于聚酯类高分子薄膜上，随后用高能电子束辐照裂解聚酯类高分子薄膜，然后在一定温度和时间下用重铬酸钾和浓硫酸的混合腐蚀液进行腐蚀，经洗涤干燥后，即得微孔阵列聚酯类高分子模板，其最小孔径可达10～20μm。本发明方法采用的电子加速器所产生电子束的辐照剂量为300～1200KGy；所用腐蚀液为：H2SO47.0～10.0mol/l，K2Cr2O70.10～0.30mol/l的混合液；腐蚀蚀刻温度为70～90℃，时间为7～10小时。
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公开(公告)号：CN100509930C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710041191.6
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法，属辐射化学改性高分子材料工艺技术领域。本发明方法的主要特点是：首先选用金属膜为掩膜材料，用紫外光激光器在金属膜上打出微米级规整排列的小孔，形成微孔阵列结构的金属掩膜；将该掩膜覆盖于聚酯类高分子薄膜上，随后用高能电子束辐照裂解聚酯类高分子薄膜，然后在一定温度和时间下用重铬酸钾和浓硫酸的混合腐蚀液进行腐蚀，经洗涤干燥后，即得微孔阵列聚酯类高分子模板，其最小孔径可达10～20μm。本发明方法采用的电子加速器所产生电子束的辐照剂量为300～1200KGy；所用腐蚀液为：H2SO47.0～10.0mol/L，K2Cr2O70.10～0.30mol/L的混合液；腐蚀蚀刻温度为70～90℃，时间为7～10小时。
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公开(公告)号：CN100509929C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710038757.X
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照制备微孔阵列聚烯烃薄膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜材料加工处理技术领域。本发明方法以聚烯烃类薄膜为原料(包括pp、pvc、ptfe等聚烯烃高分子薄膜)，在其上覆盖好具有微孔阵列图案的模板，采用电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐剂量为100～400KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合的刻蚀溶液中；H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60～90℃温度下进行刻蚀，控制刻蚀反应时间为2～6小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规则、尺寸一致的微孔阵列高分子聚烯烃薄膜，其平均孔径达10μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100490957C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710039945.4
申请日：2007-04-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照剂量聚酰亚胺类微孔分离膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜加工处理技为领域。本发明方法以各种单体聚合而成的聚酰亚胺类薄膜为主要膜材料，在其上覆盖好具有微孔图案的金属模板，采用常规电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐照剂量为600～1200KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合蚀刻溶液中，其中H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60℃～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应时间为5～10小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜。
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公开(公告)号：CN100464909C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710038708.6
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: B22F9/30
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照来制备纳米铜锡合金的方法，属辐射化学制造纳米合金材料工艺技术领域。本发明方法是：以硫酸铜和氯化亚锡为原料，以去离子水分别配成溶液，硫酸铜溶液浓度为0.005～0.100mol/L，氯化亚锡溶液浓度为0.005～0.100mol/L；加入表面活性剂聚乙烯醇或聚乙二醇，再加入自由基去除剂异丙醇，然后用氨水调节溶液的pH值至5.0～7.0；然后置于GJ-2型电子加速器产生的电子束下进行辐照，其辐照剂量为50～350KGy；然后用高速离心机离心分离辐照后的悬浊液，再经洗涤、干燥；最终得到黑色的铜锡合金粉末。所得产物经检测，其颗粒大小均匀，呈球状；粒径分布在15～40nm范围内，平均粒径为20nm。
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公开(公告)号：CN101024253A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710038708.6
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: B22F9/30
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照来制备纳米铜锡合金的方法，属辐射化学制造纳米合金材料工艺技术领域。本发明方法是：以硫酸铜和氯化亚锡为原料，以去离子水分别配成溶液，硫酸铜溶液浓度为0.005～0.100mol/L，氯化亚锡溶液浓度为0.005～0.100mol/L；加入表面活性剂聚乙烯醇或聚乙二醇，再加入自由基去除剂异丙醇，然后用氨水调节溶液的pH值至5.0～7.0；然后置于GJ－2型电子加速器产生的电子束下进行辐照，其辐照剂量为50～350KGy；然后用高速离心机离心分离辐照后的悬浊液，再经洗涤、干燥；最终得到黑色的铜锡合金粉末。所得产物经检测，其颗粒大小均匀，呈球状；粒径分布在15～40nm范围内，平均粒径为20nm。
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公开(公告)号：CN101037511A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710038757.X
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照制备微孔阵列聚烯烃薄膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜材料加工处理技术领域。本发明方法以聚烯烃类薄膜为原料(包括pp、pvc、ptfe等聚烯烃高分子薄膜)，在其上覆盖好具有微孔阵列图案的模板，采用电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐剂量为100～400KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合的刻蚀溶液中；H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60～90℃温度下进行刻蚀，控制刻蚀反应时间为2～6小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规则、尺寸一致的微孔阵列高分子聚烯烃薄膜，其平均孔径达10μm。
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公开(公告)号：CN101053786A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710039945.4
申请日：2007-04-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种用电子束辐照剂量聚酰亚胺类微孔分离膜的方法，属辐射化学及高分子薄膜加工处理技为领域。本发明方法以各种单体聚合而成的聚酰亚胺类薄膜为主要膜材料，在其上覆盖好具有微孔图案的金属模板，采用常规电子加速器所产生的高能电子束进行辐照；其辐照剂量为600～1200KGy；然后将其浸入由H2SO4和K2Cr2O7组成的混合蚀刻溶液中，其中H2SO4的浓度为6～10mol/L，K2Cr2O7的浓度为0.1～0.3mol/L；在60℃～90℃温度下进行蚀刻，控制蚀刻反应时间为5～10小时；最后清洗、干燥，最终得到图案排列规整、孔径尺寸一致的高分子聚酰亚胺类微孔分离膜。
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