公开(公告)号：CN120009252A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510487503.4

申请日：2025-04-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 张紫云 ,  潘登 ,  张玲 ,  胡顺波 ,  雷明 ,  梁乙浩

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种能够高灵敏检测辣椒碱的银油墨薄膜及其制备方法和在表面增强拉曼散射检测中的应用。制备方法包括：在搅拌下将氢氧化钠和盐酸羟胺的混合溶液加入到硝酸银溶液中，保持搅拌直至反应完全，获得均匀的乳白色混合物银纳米胶液；以5000~15000 r/min的速度将银纳米胶液离心5~30分钟，弃去上层清液部分，得到浓缩的银纳米胶；取浓缩的银纳米胶与乙基纤维素和α‑松油醇混合搅拌、超声处理，得到均匀的银油墨；银油墨中，浓缩的银纳米胶的含量为25wt%~55wt%，乙基纤维素的含量为4wt%~6wt%，其余为α‑松油醇；使用匀胶机将银油墨旋涂到洁净的抛光硅片上，真空干燥得到银油墨薄膜。

公开(公告)号：CN118366571A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311787225.1

申请日：2023-12-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 胡顺波 ,  李木森 ,  苏天昊

IPC: G16C60/00 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0464 ,  G16C20/70

Abstract: 本发明提供了一种材料初相识别方法、计算机设备及存储介质，涉及数据处理技术领域，包括：建立初始模型，其中，目标模型包括结构编码器和图谱编码器，利用结构编码器和图谱编码器基于输入的文本信息和图像信息分别确定材料三维结构信息和材料二维图像信息，并通过训练建立材料二维图像信息与材料三维结构信息的相关性；文本信息包括材料对应的化学元素种类及晶格常数；图像信息为材料对应的XRD衍射图谱；对初始模型进行训练后，获得目标模型；获取待识别材料的衍射图谱，采用目标模型基于材料二维图像信息与材料三维结构信息的相关性进行识别，获得目标识别结果，解决现有无法从衍射图谱识别出材料结构，导致材料分析操作较复杂的问题。

公开(公告)号：CN117438000A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311322601.X

申请日：2023-10-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 胡顺波 ,  张灵瑶 ,  任伟 ,  王音

IPC: G16C20/40 ,  G16C20/70 ,  G06F18/211

Abstract: 本申请实施例公开了一种钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法、装置及存储介质，其中钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法包括：使用VASP软件包对若干类纯相ABO3型钙钛矿进行结构优化与自洽计算，以获得优化后的晶格常数；根据优化后的晶格常数，基于AKAI‑KKR程序的Green函数、蒙特卡洛和相干势近似方法生成替换不同比例和组分(1‑x)(BT)xABO3，以得到对应的结构文件，其中，x＝0.25,0.5；使用高通量计算方法对生成的结构文件POSCAR进行计算，得到弹性模量和介电常数矩阵；使用VASPKIT数据后处理软件对弹性模量和介电常数矩阵进行处理得到该固溶体结构的压电参数。以解决现有技术中设计陶瓷电容材料组分与结构时，单单通过实验验证，具有庞杂性的问题。

公开(公告)号：CN102520378A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110410503.2

申请日：2011-12-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 连博文 ,  左鹏翔 ,  曹越 ,  胡顺波 ,  徐克西

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明涉及一种高温超导单畴块材磁通冻结场测量装置及方法。本装置包括一个强磁体装置，置于该装置中的低温杜瓦瓶和超导强磁体，一个三维支架的垂直杆下端固定低温霍尔探头靠近置于低温杜瓦瓶内的样品，有制冷机和真空泵对强磁体制冷和抽真空，低温杜瓦瓶外围有超导强磁体产生强磁场，有一台上位机通过一个步进电机驱动器驱动三维支架作三维移动，低温霍尔探头通过高斯测量仪连接上位机，一个温度传感器安装在强磁体装置内，通过数字多用表连接上位机，实现了计算机与测量设备的精确通信与控制，并对采集到的数据进行处理和表达。本发明测量准确、高效、便捷、自动化成度高。

公开(公告)号：CN116364217A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310278740.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪虎 ,  胡顺波 ,  王音

IPC: G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G16C20/50

Abstract: 本发明实施例公开了一种基于改进TB模型确定碲烯电子结构的系统、方法、电子设备及介质，包括：基于DFT‑HSE获得碲烯的目标能带结构；构建改进TB模型，其中，所述改进TB模型包括非正交轨道；基于所述目标能带结构通过非正交轨道优化TB参数，基于所述优化TB参数确定所述碲烯电子结构。该基于改进TB模型确定碲烯电子结构的方法解决现有技术中无法准确描述碲烯电子结构的问题。