公开(公告)号：CN115354394A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210901851.8

申请日：2022-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 任伟 ,  陈睿 ,  刘畅 ,  陈阳阳 ,  孔向阳 ,  张灵瑶

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/02 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明通过一种在溶液中生长Ge基钙钛矿单晶的方法及其应用，实现了基于混合酸溶液的钙钛矿单晶的制备，可用于AGeX3(A＝Rb、Cs，X＝Cl、Br、I)毫米级单晶的生长。该方法以氧化锗和卤化氢的水溶液、次磷酸混合反应并加入卤化铯或卤化铷的水溶液，加热至饱和后以卤化氢的水溶液及次磷酸为溶剂进行单晶静置生长一周后即可得到毫米级单晶。本发明针对Ge基钙钛矿在传统溶剂(DMSO/DMF)中难溶的问题提供了解决办法。并且该方法合成简单，成本低廉，合成的单晶质量高、尺寸大、缺陷密度低。通过改变X位的卤素配比可调控带隙，应用在太阳能电池、探测器、非线性光学等领域。

公开(公告)号：CN117438000A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311322601.X

申请日：2023-10-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 胡顺波 ,  张灵瑶 ,  任伟 ,  王音

IPC: G16C20/40 ,  G16C20/70 ,  G06F18/211

Abstract: 本申请实施例公开了一种钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法、装置及存储介质，其中钙钛矿型介电陶瓷材料高通量模拟方法包括：使用VASP软件包对若干类纯相ABO3型钙钛矿进行结构优化与自洽计算，以获得优化后的晶格常数；根据优化后的晶格常数，基于AKAI‑KKR程序的Green函数、蒙特卡洛和相干势近似方法生成替换不同比例和组分(1‑x)(BT)xABO3，以得到对应的结构文件，其中，x＝0.25,0.5；使用高通量计算方法对生成的结构文件POSCAR进行计算，得到弹性模量和介电常数矩阵；使用VASPKIT数据后处理软件对弹性模量和介电常数矩阵进行处理得到该固溶体结构的压电参数。以解决现有技术中设计陶瓷电容材料组分与结构时，单单通过实验验证，具有庞杂性的问题。

公开(公告)号：CN115602255A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211238694.3

申请日：2022-10-11

Applicant: 上海大学(CN)

Inventor： 任伟 ,  程旭丽 ,  许少文 ,  张灵瑶

IPC: G16C10/00 ,  G16C20/30 ,  G16C20/80 ,  G16C20/90 ,  G16C60/00

Abstract: 本发明公开了一种二维多铁性氢氧化物材料的设计和预测方法及其系统，其方法为：获取标准的三维氢氧化物XOOH块体的晶体结构文件，利用可视化软件对其切割并在c方向增加真空层，借助VESTA软件将结构文件类型转为.vasp文件格式；对构建的氢氧化物单层体系进行结构优化计算，确定其铁电自发极化及铁弹自发应变方向；通过旋转体系中的羟基和施加面内应力，寻找体系其他铁电相和铁弹相，在两铁电相和铁弹相之间分别插点寻找中间相，并分别计算两铁电相和两铁弹相之间的反转能垒；计算体系的铁电极化随铁弹过渡路径的变化，解释两种铁性的耦合的内在机制。本发明方法和系统平台降低实验试错成本，实现了一种二维铁电和铁弹耦合的多铁性材料的筛选/预测。