可实现高通量组分筛选的模具及成型方法

    公开(公告)号:CN109708942B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201910142868.8

    申请日:2019-02-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本申请公开了一种可实现高通量组分筛选的模具及成型方法,涉及材料筛选。模具包括装料模腔、多个横向隔片、底座和压头。装料模腔具有空腔,用于盛装原料及安装其他零件。多个横向隔片中每一横向隔片用于沿空腔的横向安装并与其可拆卸连接,以将空腔分成若干相等或者不等的间隔,每一间隔用于盛装不同组分不同比例的原料,以同时进行两种或者两种以上的组分优选。底座用于安装在装料模腔的底部。压头用于由装料模腔的上端至下端压入,以将原料压制成压片。在实验配料制备过程中,利用本申请可使得两种或两种以上的原料可以直接在模具中实现组分连续变化的梯度混合,可以对该模具中混合好的原料进行一次性同时压片,大大提高了工作效率。

    可实现高通量组分筛选的模具及成型方法

    公开(公告)号:CN109708942A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910142868.8

    申请日:2019-02-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本申请公开了一种可实现高通量组分筛选的模具及成型方法,涉及材料筛选。模具包括装料模腔、多个横向隔片、底座和压头。装料模腔具有空腔,用于盛装原料及安装其他零件。多个横向隔片中每一横向隔片用于沿空腔的横向安装并与其可拆卸连接,以将空腔分成若干相等或者不等的间隔,每一间隔用于盛装不同组分不同比例的原料,以同时进行两种或者两种以上的组分优选。底座用于安装在装料模腔的底部。压头用于由装料模腔的上端至下端压入,以将原料压制成压片。在实验配料制备过程中,利用本申请可使得两种或两种以上的原料可以直接在模具中实现组分连续变化的梯度混合,可以对该模具中混合好的原料进行一次性同时压片,大大提高了工作效率。

    红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108130083A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201711469191.6

    申请日:2017-12-29

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 徐展 赵景泰

    Abstract: 本发明提供了一种红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法,能制备一种发光性能优良、红绿光波段内变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料。以基质为Y(OH)mF3-m,通过晶格中掺杂不同比例的稀土发光离子Eu3+,Tb3+,实现了发光在500nm绿光和650nm红光波段内变色可调。利用具有层间阴离子交换特性的前驱体材料Y2(OH)5NO3·nH2O:x%Eu3+,y%Tb3+,在80℃下水浴氟化得到Y(OH)mF3-m:x%Eu3+,y%Tb3+稀土氢氧氟化物发光材料。此材料具有优良的红绿变色发光性能,可用于LED荧光粉等领域,并且制备方法简便,能源消耗少,具有较好的经济价值。

    高光产额钨酸铅(PbWO4)闪烁晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN105154977B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201510569092.X

    申请日:2015-09-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体,在X‑射线激发下,其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍,其发光峰位为465‑495 nm,较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下,其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域,解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用,及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。

    一种基于熔盐法的氧硫化钆粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN119528202A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411651234.2

    申请日:2024-11-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于熔盐法的氧硫化钆粉体及其制备方法。所述制备方法具体为:配置前驱体溶液,将获得的沉淀产物清洗并烘干,获得前驱体粉末;所述前驱体粉末为Gd2O2CO3、Gd2(SO4)3·8H2O、Gd2(OH)4SO4·xH2O、Gd2(OH)5NO3·xH2O中的一种;将制备好的前驱体粉末、硫源与熔盐混合均匀后置于坩埚内,在保护气氛下高温烧结,使混合粉末形成熔融态,待烧结完成,冷却后清洗、干燥,获得氧硫化钆粉体;所述熔盐为Li2CO3和Na2CO3、Li2CO3和K2CO3、Li2CO3和K2CO3、Na2CO3中的一种。与现有技术相比,本发明在空气或还原性气氛或惰性气氛下合成了Gd2O2S粉体,相比传统高温固相合成法,大幅降低了合成温度,生成的Gd2O2S的结晶性好,纯度高、无杂相,分散性高。

    铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105969354A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610328071.3

    申请日:2016-05-18

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: C09K11/7774 C09K11/778 C30B13/00 C30B15/00 C30B29/34

    Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法,其材料的化学式为(Gd1‑x‑y‑zKxCeyMz)2Si2O7,其中:K=La、Lu、Y、Sc的一种或多种的组合,M=Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+的一种或多种的组合,0≤x≤0.995,0.00001≤y≤0.05,0≤z≤0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸钆中额外添加Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+主族离子,制备了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉,与不掺杂主族离子的焦硅酸钆发光材料相比,掺杂主族离子的铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的荧光衰减时间明显减小,优化了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的闪烁性能。

    红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108130083B

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201711469191.6

    申请日:2017-12-29

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 徐展 赵景泰

    Abstract: 本发明提供了一种红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法,能制备一种发光性能优良、红绿光波段内变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料。以基质为Y(OH)mF3‑m,通过晶格中掺杂不同比例的稀土发光离子Eu3+,Tb3+,实现了发光在500nm绿光和650nm红光波段内变色可调。利用具有层间阴离子交换特性的前驱体材料Y2(OH)5NO3·nH2O:x%Eu3+,y%Tb3+,在80℃下水浴氟化得到Y(OH)mF3‑m:x%Eu3+,y%Tb3+稀土氢氧氟化物发光材料。此材料具有优良的红绿变色发光性能,可用于LED荧光粉等领域,并且制备方法简便,能源消耗少,具有较好的经济价值。

    稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法

    公开(公告)号:CN109881251A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910139028.6

    申请日:2019-02-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本申请公开了稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法。所述单晶薄膜闪烁屏是在合适的单晶衬底上,生长稀土掺杂倍半氧化物单晶薄膜闪烁屏,其结构表述为:(Lu1-x-yMxREy)2O3。其中:0≤x≤1,0<y≤0.3。RE代表Eu、Tb、Pr中的一种或多种,M代表Sc、Y、La、Gd、Hf中的一种或多种。本申请的单晶薄膜闪烁屏具有重密度,其中Lu2O3密度达9.42g/cm3,Eu在611nm的窄带发射与CCD响应曲线的匹配。本申请的制备方法不存在原料污染的问题,单晶薄膜质量高,光学性质和闪烁性能高。故本申请的单晶薄膜闪烁屏可以广泛应用于科学研究、医疗、安检、工业等领域中。

    高光产额钨酸铅(PbWO4)闪烁晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN105154977A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510569092.X

    申请日:2015-09-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体,在X-射线激发下,其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍,其发光峰位为465 - 495 nm,较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下,其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域,解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用,及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。

Patent Agency Ranking