公开(公告)号：CN105154977A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510569092.X

申请日：2015-09-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志军 ,  冯鹤 ,  徐展 ,  王红 ,  胡关钦 ,  赵景泰

IPC: C30B29/32 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X-射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465 - 495 nm，较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下，其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域，解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用，及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。

公开(公告)号：CN105154977B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201510569092.X

申请日：2015-09-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志军 ,  冯鹤 ,  徐展 ,  王红 ,  胡关钦 ,  赵景泰

IPC: C30B29/32 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X‑射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465‑495 nm，较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下，其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域，解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用，及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。