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公开(公告)号：CN100514705C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610024068.9
申请日：2006-02-22
Applicant: 上海广电电子股份有限公司 , 上海大学
Abstract: 一种有机电致发光屏电极的制作方法，在制作前电极的过程中，当刻制出透明电极条及其间隙之后，先不去掉覆盖在透明电极条上的光刻胶条，而是用溶剂溶解光刻胶条，使光刻胶条的长宽收缩，露出透明电极条的边缘。然后在其上面覆盖一层无机绝缘层，再将覆盖在透明电极条上的光刻胶条连同覆盖在它上面的绝缘层一起去掉，留下是包住透明电极条边缘和覆盖透明电极条之间间隙的绝缘层；制作背电极的过程中采用拉线模具和一次蒸镀制成背电极条的方法。比在先技术制作前后电极省去了二次光刻的工艺过程，缩短了制作电极的过程，提高了制作精度。
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公开(公告)号：CN1828975A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610024068.9
申请日：2006-02-22
Applicant: 上海广电电子股份有限公司 , 上海大学
Abstract: 一种有机电致发光屏电极的制作方法，在制作前电极的过程中，当刻制出透明电极条及其间隙之后，先不去掉覆盖在透明电极条上的光刻胶条，而是用溶剂溶解光刻胶条，使光刻胶条的长宽收缩，露出透明电极条的边缘。然后在其上面覆盖一层无机绝缘层，再将覆盖在透明电极条上的光刻胶条连同覆盖在它上面的绝缘层一起去掉，留下是包住透明电极条边缘和覆盖透明电极条之间间隙的绝缘层；制作背电极的过程中采用拉线模具和一次蒸镀制成背电极条的方法。比在先技术制作前后电极省去了二次光刻的工艺过程，缩短了制作电极的过程，提高了制作精度。
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公开(公告)号：CN102629667B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210122468.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种硅基顶发射有机发光微显示器及制备方法。本发明将有机发光器件制作于硅基芯片的表面上，硅基芯片中集成了有机发光器件的驱动电路和控制电路。该微显示器的结构为（自底而上）：单晶硅基底、驱动电路、顶部通孔层和顶部通孔、像素阳极和共阴电极、有机层、透明阴极层、多层薄膜封装层、色彩过滤层、玻璃封盖。其中，像素阳极采用钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构；有机层至少包含一个空穴传输层、一个多层有机发光层和一个电子传输层。该微显示器的有机发光像素单位面积小于100平方微米，像素分辨率640×480以上。此外，本发明的芯片切割工艺步骤在制作有机发光层和薄膜封装层之前进行，可以利用各种掩膜版制作有机显示器件，避免引入成本较高的激光刻蚀机。
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公开(公告)号：CN102629667A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210122468.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种硅基顶发射有机发光微显示器及制备方法。本发明将有机发光器件制作于硅基芯片的表面上，硅基芯片中集成了有机发光器件的驱动电路和控制电路。该微显示器的结构为（自底而上）：单晶硅基底、驱动电路、顶部通孔层和顶部通孔、像素阳极和共阴电极、有机层、透明阴极层、多层薄膜封装层、色彩过滤层、玻璃封盖。其中，像素阳极采用钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构；有机层至少包含一个空穴传输层、一个多层有机发光层和一个电子传输层。该微显示器的有机发光像素单位面积小于100平方微米，像素分辨率640×480以上。此外，本发明的芯片切割工艺步骤在制作有机发光层和薄膜封装层之前进行，可以利用各种掩膜版制作有机显示器件，避免引入成本较高的激光刻蚀机。
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