硅基微显示器的有机电致发光器件制备方法

    公开(公告)号:CN102629671B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201210122476.3

    申请日:2012-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基微显示器的有机电致发光器件制备方法。其工艺步骤如下:1、在平坦化的硅基衬底上制备绝缘层;2、对所述绝缘层进行干法刻蚀,露出像素区,同时刻蚀后的绝缘层截面为倒梯形截面;3、制备具有光反射特性的像素电极,所述像素电极的厚度低于绝缘层厚度,从而使得像素与非像素区域被互相隔开;4、依次制备空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电极注入层,其总厚度应高于非发光区的边缘高度,避免OLED器件的电极短路发生;5、制备OLED的透明或半透明阴极共电极。本发明采用全干法刻蚀工艺实现像素电极,可避免返回集成电路半导体工艺时带来的污染问题和精度问题;通过控制绝缘层的厚度来使像素之间互相隔离,使得OLED制备无需增添掩膜板,具有工艺简单、提高良率的优点。

    一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路

    公开(公告)号:CN101261810A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810036364.X

    申请日:2008-04-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路。它是一个输入电连接行扫描线、列扫描线和数据线而输出电连接一个二极管的像素驱动电路,所述的像素驱动电路由一个二进制锁存器经电平转换电路连接一个恒流源像素驱动电路;所述的二进制锁存器,用于起显示设备行列数据选通作用;所述的恒流源像素驱动电路,用于在像素选通状态下,给有机发光二极管提供幅值大小固定的电流,使之发光,并根据数据线提供的数据的占空比改变其亮度;所述的电平转换电路,用于在二进制锁存器和恒流源像素驱动电路之间起一种高低电平转换作用;所述的像素驱动电路,根据一条行扫描线和一条列扫描线将一条数据线上的数据传输到像素驱动电路上,使得有机发光二极管灰度显示。本发明的整个像素驱动电路全部采用晶体管代替传统的电容充放电,极大地提高了像素电路的开口率;通过静态电流源提供固定大小电流,使得有机发光二级管在工作状态下通过的电流得到精确的控制,不受阈值电压的影响。

    硅基有机发光二极管微显示器驱动电路

    公开(公告)号:CN102360539B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201110303686.8

    申请日:2011-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光二极管微显示器驱动电路,该电路与有机发光二极管共同集成在硅芯片上,形成硅基微显示器。本发明的驱动电路包括,像素单元阵列驱动电路、行驱动电路、奇数列驱动电路、偶数列驱动电路。该驱动电路的特点是,像素单元阵列驱动电路中的场效应晶体管作为开关管使用,只有“开”和“关”两种状态,像素单元采用数字电路的工作方式,通过调制驱动场效应晶体管的开关脉宽时间来控制有机发光二极管的灰度与亮度。像素驱动电路采用静态存储器方式存储像素数据。内置独特的随机行扫描存储器,使整个驱动电路可以接受分形扫描信号,从而完成高清分辨率下的高灰度彩色显示效果。最后,为了更好地采用芯片实现,将列驱动电路分为奇数列驱动电路和偶数列驱动电路,分布在像素驱动电路的两边。

    硅基有机发光二极管微显示器驱动电路

    公开(公告)号:CN102360539A

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201110303686.8

    申请日:2011-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光二极管微显示器驱动电路,该电路与有机发光二极管共同集成在硅芯片上,形成硅基微显示器。本发明的驱动电路包括,像素单元阵列驱动电路、行驱动电路、奇数列驱动电路、偶数列驱动电路。该驱动电路的特点是,像素单元阵列驱动电路中的场效应晶体管作为开关管使用,只有“开”和“关”两种状态,像素单元采用数字电路的工作方式,通过调制驱动场效应晶体管的开关脉宽时间来控制有机发光二极管的灰度与亮度。像素驱动电路采用静态存储器方式存储像素数据。内置独特的随机行扫描存储器,使整个驱动电路可以接受分形扫描信号,从而完成高清分辨率下的高灰度彩色显示效果。最后,为了更好地采用芯片实现,将列驱动电路分为奇数列驱动电路和偶数列驱动电路,分布在像素驱动电路的两边。

    复合纳米晶磁记录材料的制备方法

    公开(公告)号:CN1450573A

    公开(公告)日:2003-10-22

    申请号:CN03116544.3

    申请日:2003-04-22

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种复合纳米晶磁记录材料的制备方法,其特征在于采用机械合金化方法,在常温常压下通过一定工艺过程,将原始材料纯铁粉和纯碳粉合成Fe-C化合物,然后将纳米晶Fe-C与纳米晶软磁粉末化合成双相复合纳米晶磁记录材料。本发明方法制得的磁性材料具有优良的磁性,可成为优于γ-Fe2O3的磁记录介质,也可以作为粘结磁体用的磁性粉末。本发明方法不需要具备高温高压和特殊气氛等苛刻条件,其工艺简单,可降低制造成本。

    硅基有机发光微显示器像素衰退补偿电路

    公开(公告)号:CN105304023A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510792985.0

    申请日:2015-11-18

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光微显示器像素衰退补偿电路。由像素单元电路、阳极电压读出电路和参考电流产生电路组成。像素驱动电路包括3个开关晶体管、驱动晶体管,存储电容和有机发光二极管。其中,第一开关晶体管栅极接行驱动信号,漏极接列驱动信号,源极接第三开关晶体管的栅极,第一晶体管在行选通时,列驱动信号写入存储电容,控制第三开关晶体管的状态。第三开关晶体管的漏极接有机发光二极管的阳极,源极接驱动晶体管的漏极,驱动晶体管的源极接正电源,栅极接参考电流产生电路的参考电压作为驱动电压。读出电路由第二开关晶体管组成,栅极接读出信号,源极接有机发光二极管的阳极,当读出信号有效时,第二开关晶体管的漏端输出阳极电压。

    硅基有机发光二极管微显示器电流脉宽调制驱动电路

    公开(公告)号:CN102956197B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201210414879.5

    申请日:2012-10-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基有机发光二极管微显示器电流脉宽调制驱动电路。它由像素单元电路连接参考电流产生电路构成。该像素驱动电路包括驱动晶体管、2个开关晶体管、存储电容、有机发光二极管。其中,第一开关晶体管的漏极接列驱动信号,栅极接行驱动信号,源极接第二开关晶体管的栅极,第一开关晶体管在行驱动信号选通情况下,将列驱动信号写入存储电容,第二开关晶体管的漏极接有机发光二极管的阳极,源级接驱动晶体管的漏极,通过存储电容的信息控制第二开关晶体管的导通状态,驱动晶体管的栅极接参考电流产生电路的参考电压,源级接正电源,参考电压为像素驱动单元提供一个稳定精确的外部输入电压。

    硅基顶发射有机发光微显示器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102629667B

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201210122468.9

    申请日:2012-04-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种硅基顶发射有机发光微显示器及制备方法。本发明将有机发光器件制作于硅基芯片的表面上,硅基芯片中集成了有机发光器件的驱动电路和控制电路。该微显示器的结构为(自底而上):单晶硅基底、驱动电路、顶部通孔层和顶部通孔、像素阳极和共阴电极、有机层、透明阴极层、多层薄膜封装层、色彩过滤层、玻璃封盖。其中,像素阳极采用钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构;有机层至少包含一个空穴传输层、一个多层有机发光层和一个电子传输层。该微显示器的有机发光像素单位面积小于100平方微米,像素分辨率640×480以上。此外,本发明的芯片切割工艺步骤在制作有机发光层和薄膜封装层之前进行,可以利用各种掩膜版制作有机显示器件,避免引入成本较高的激光刻蚀机。

    有机发光显示器的参考电压产生电路

    公开(公告)号:CN102956196A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210414330.6

    申请日:2012-10-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种有机发光显示器的参考电压产生电路,它包含了一个m行n列像素驱动阵列和像素驱动单元参考电压产生电路。像素驱动阵列包含m个行驱动信号和n个列驱动信号,对应m*n个像素点,每个像素点都由一个像素驱动单元控制,其中m和n都为大于等于1的正整数。像素驱动单元参考电压产生电路包含了第一驱动晶体管、第二驱动晶体管、第三驱动晶体管和电流源。每列像素驱动单元的参考电压由一组参考电压产生电路提供,第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和每组复用的第三驱动晶体管和电流源组成了参考电压产生电路。本发明能够为像素驱动单元提供一个参考电压,像素驱动单元的适用性广泛,适用于需要外部输入电压的像素驱动单元。

    复合纳米晶磁记录材料的制备方法

    公开(公告)号:CN1242433C

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN03116544.3

    申请日:2003-04-22

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种复合纳米晶磁记录材料的制备方法,其特征在于采用机械合金化方法,在常温常压下通过一定工艺过程,将原始材料纯铁粉和纯碳粉合成Fe-C化合物,然后将纳米晶Fe-C与纳米晶软磁粉末化合成双相复合纳米晶磁记录材料。本发明方法制得的磁性材料具有优良的磁性,可成为优于γ-Fe2O3的磁记录介质,也可以作为粘结磁体用的磁性粉末。本发明方法不需要具备高温高压和特殊气氛等苛刻条件,其工艺简单,可降低制造成本。

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